突破高端碳化硅器件工艺瓶颈！深圳平湖实验室750V沟槽型 SiC JFET达国际先进水平

图一 8英寸750V沟槽型SiC JFET晶圆照片

器件


击穿电压超过920V


，耐压冗余充足，适配750V主流高压直流应用；核心指标


比导通电阻低至0.75mΩ・cm²


，导通损耗大幅降低，功率密度显著提升。

为覆盖多元产业需求，


研究团队同步落地4款产品（16mΩ、35mΩ、80mΩ、165mΩ）


，可灵活适配多元应用需求，可灵活匹配中小功率、大功率不同设备方案。可靠性测试方面，器件历经500小时考核，基本性能未退化，展现出优异的长期稳定性。

图二 器件500小时可靠性测试结果

针对这一难题，


研究团队创新性地将器件沟道分解为阈值调节区与耐压调节区，并采用浅沟槽自对准注入工艺，实现了阈值电压的独立调控，成功解耦刻蚀均匀性对阈值一致性的影响


，大幅拓宽生产工艺窗口，从底层提升晶圆一致性与量产良率。该成果已获国家发明专利授权（专利号：CN202411938192.0）。

图三 750V沟槽型SiC JFET器件结构与样品（DFN5*6封装）

深圳平湖实验室本次750V沟槽型SiC JFET技术突破，标志我国在沟槽型SiC JFET细分赛道实现从工艺、器件到知识产权的全方位自主突破，补齐国内8英寸碳化硅器件关键短板。

下一步，实验室第三代跃升团队将扩充产品规格，依托开放、共享的中试平台向产业化落地迈进，加速国产SiC器件在AI算力、智能电网、工业电力等关键领域规模化应用，以硬核半导体技术支撑我国数字基础设施与新型电力系统高质量发展。