刚刚,长鑫正式上市,市值瞬破3万亿
刚刚,全球第四大DRAM厂商长鑫科技(688825)在上海证券交易所公开上市,股价大涨,市值瞬间突破三挖一,成为国产DRAM发展史乃至中国芯片发展史上的一座重要丰碑。

众所周知,DRAM 是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石,广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。过去很长一段时间内,这个市场基本都是被韩国三星、SK海力士以及美光以及中国台湾的几家企业垄断。
此前,公司已确定发行价为8.66元/股,基础发行规模约66.88亿股,预计募集资金总额约579.19亿元。以发行价和发行后总股本测算,公司发行市值约5792亿元。
藉着长鑫的上市,国产DRAM迈入了发展新阶段。
十年深耕成就的国产DRAM龙头
按照招股说明书可以所说,长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来,公司始终专注于 DRAM产品的研发、设计、生产及销售。
公司采取“跳代研发”的策略,完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产,以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级,目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据 Omdia 的数据,按出货量和销售额统计,公司己成为中国第一、全球第四的 DRAM厂商。
长鑫指出,公司于2019年9月推出自主设计生产的8GbDDR4产品,实现了中国大陆 DRAM产业“从零到一”的突破。同时,公司积极把握行业发展趋势,持续进行产品迭代,现己形成 DDR 系列、LPDDR 系列等多元化产品布局,并可提供 DRAM 晶圆、DRAM芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案,可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。
长鑫之言,我国是全球最大的 DRAM 需求市场之一,而全球前三家 DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。公司致力于持续扩充产能,不断提升全球市场份额,并我国DRAM 市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM 晶圆厂,产能规模位居中国第一、全球第四。
公司高度重视技术创新与先进工艺研发,建立了完善的研发创新体系,打造了经验丰富的研发团队,承担多项国家重大专项课题。通过持续不断的研发投入与技术创新,公司已形成多项科研成果,并在 DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系,主要核心技术已达到国际先进水平。
作为 DRAM 产业龙头企业,经过长期发展,公司已与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态。公司在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源,建立了良好的品牌效应。公司与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作,持续赢得客户的肯定和赞誉。此外,公司积极与半导体存储设计企业、EDA厂商、材料厂商、设备及零部件厂商、存储模组厂商等紧密合作,共同推动我国 DRAM 市场发展和产业生态的完善。随着公司现有产能逐步释放以及规划建设产能逐步完成,公司将持续提升市场份额,以存储科技赋能信息社会,成技术领先与商业成功的半导体存储企业。
据招股书介绍,公司公司产品覆盖 DDR、LPDDR 两大主流系列,并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品,包括 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等,产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。公司可结合不同产品的应用特点和不同客户的需求,提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化的产品方案,其中 DRAM 芯片是报告期内公司出货及销售的主要产品类型。凭借丰富的产品布局和卓越的产品性能,公司能够为客户提供全面的DRAM 存储解决方案。
业绩方面,此前长鑫科技连续三年陷入亏损,2022年至2024年,归母净利润亏损分别为83.28亿、163.40亿、71.45亿,累计亏损超300亿元。2025年,长鑫科技扭亏为盈,归母净利润为18.75亿元。
最新数据显示,2026年第一季度,长鑫科技营收508亿元,同比增长719.13%;归母净利润247.62亿元,同比增长1688.30%。
根据长鑫科技预计,2026年1-6月营业收入1100亿元至1200亿元,同比增长612.53%至677.31%;归母净利润500亿元至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%,有望抹平长鑫科技成立以来的全部累计亏损。
募巨资,投向DRAM扩产
根据招股书,长鑫原本计划募资投向多个DRAM项目。

按照他们所说,公司本次募集资金投资项目是基于业务发展阶段特点和技术研发创新要求对现有业务进行的扩充和延伸,是公司进一步提高技术研发实力的必然要求,也是公司持续深化工艺技术开发与积累、不断开拓前沿技术、提升核心竞争力的重要举措。
按照他们所说,募集这些资金是有以下必要性:
1、精准把握行业发展的动态与方向,持续进行产品技术水平提升及迭代,保障业务持续发展
DRAM 作支撑现代信息技术和数字信息产业发展的核心元件,其应用已深入数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等多个关键领域,随着新一代信息技术的发展,数据需求呈指数级增长,DRAM 产品的重要性愈发凸显,成为支撑算力提升与大规模数据处理的关键载体。站在全球 DRAM 市场角度,根据Omdia 数据,全球 DRAM市场规模有望从2025年的1,505亿美元增长至2030年的5,710亿美元,年均复合增长率30.56%,具有广阔的增长空间;站在中国 DRAM 市场角度,随着新一代信息技术的发展、汽车产业向智能化加速转型、5G 和物联网互联互通,为公司产品发展带来了历史性契机。
在不断变化的行业趋势下,计算与处理芯片性能持续跃进,对DRAM 的性能提出了日益严苛的要求,推动其向更大存储密度、更快传输速率及更低功耗方向不断升级。
在此背景下,持续推动产品与制程工艺的创新迭代、始终保持行业领先的技术水平,己成为在高度竞争的 DRAM领域中维持生存与提升产品竞争力的核心要素。
为提升 DRAM 生产能力及产品研发制造工艺水平,公司亟需优化现有生产线,并投入资金以提升公司在相关领域的自主创新能力、研发及技术水平,保持公司生产工艺领先地位,并进一步提高公司抗风险能力;亦需在推动技术迭代的同时加快产能建设与升级,通过扩大生产规模提升公司的核心竞争力。
2、充分发挥产业链链主引领作用,有利于提升我国DRAM产业核心竞争力,并推动供应链本土化、多元化
根据 Yole 数据,2024年中国 DRAM 市场规模约为250亿美元,占全球 DRAM市场比例超过四分之一,为全球主流的 DRAM 消费大国,但中国在该领域长期高度依赖进口,且国产 DRAM 企业在顶尖技术积累、产能规模方面与业界龙头企业存在一定差距,因此 DRAM 本土厂商仍有广阔的发展空间,需要持续投入、加大投入加速产业突破。
DRAM 器件结构复杂、高难度工艺环节众多,对供应链上游的设备先进性和技术更新需求高,带动产业链上下游协同发展的作用明显。DRAM 存储每升级一代工艺,一般同时伴随着一定比例的设备更新,对于上下游的发展有显著的拉动作用。实施DRAM 技术升级改造及前瞻技术研究与开发相关项目不仅能够补足我国行业短板,同时将带动一批相关产业迅猛发展,形成具有特色的 DRAM 存储器产业集群,形成联动互补的集聚效应,为我国 DRAM 产业核心竞争力的提升提供有力支撑。
公司作为国内 DRAM 产业龙头,对于我国半导体产业的发展具有举足轻重的作用。通过募投项目的实施,将开展本土及新型设备、材料、零部件等验证开发,促进产业链、供应链本土化、多元化,增强公司抗风险能力。
3、公司亟需就前瞻性技术持续进行研发,保持公司技术领先性,进一步提高公司核心竞争力及抗风险能力。
持续推动产品与制程工艺的迭代,并维持行业技术领先地位,是在 DRAM 领域保持竞争力与实现长远发展的核心前提。DRAM 技术门槛极高、涉及专业领域很广,覆盖产品设计、工艺技术、封装测试、模组设计与制造等多个环节,涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散及离子注入、化学清洗、化学机械抛光等数百道工序,只有坚持不懈的持续研发,不断迭代工艺技术,使得每一代新产品持续迭代更大存储密度、更低功耗及更快读写速度,提升产品竞争力,以满足市场需求,增加公司的抗风险能力。
因此,公司亟需就前瞻性技术持续进行研发,保持公司技术领先性的同时,有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品,以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
在长鑫看来,公司充足的技术储备和量产经验、高质量的研发人才队伍,能为项目顺利实施奠定坚实基础、提供有力支撑。
展望未来,长鑫科技秉持“以存储科技赋能信息社会、改善人类生活”的使命,在业务布局上坚持立足国内市场,并逐步拓展海外市场;在市场布局上加速扩大在中高端应用市场的占有率;在发展模式上持续向产业生态协同发展;在技术研发上持续深化工艺技术开发与积累,不断开拓前沿技术,加速实现中国先进 DRAM 芯片产业持续性的技术突破。
长鑫强调,公司致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储企业,并一直之不懈努力和奋斗。
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