昕感科技与西安电力电子技术研究所共商高压碳化硅芯片研发及战略投融资合作

7月21日，




北京昕感科技集团一行到访西安电力电子技术研究所有限公司




，开展




碳化硅芯片研发合作暨战略投融资




专题交流会。




陕西科技控股集团党委委员、工会主席孙路及副总经理董琪，西电技所党委书记、总经理耿涛及研发中心主任陈烨，西安派瑞功率半导体党委书记卢道真，




陕西科控创投副总经理




夏楠，昕感科技董事长创始人王哲、总经理刘建华、董秘杨莹




等核心人员出席会议。与会人员




就


碳化硅功率芯片关键技术联合攻关、产业化协同及资本层面合作


深入交换意见，并达成多项共识。

会议重点围绕


10kV




碳化硅芯片


及


4500V IGBT


芯片两大项目展开交流。




其中，10kV 碳化硅芯片面向智能电网、轨道交通、海上风电等超高压应用场景；4500V IGBT芯片则支撑特高压直流输电、大功率牵引传动等重大装备国产化需求




。依托昕感科技在




功率半导体芯片设计、




工艺开发与规模化量产等方面的优势




，以及西电技所在超特大功率器件研发、测试验证及标准制定方面的深厚积淀，


双方将联合攻关两大芯片关键技术，




对突破高端功率半导体技术瓶颈




、推动行业技术升级具有重要意义


。

在战略协同层面，此次会议探讨了


技术、产业与资本多维度的深度合作路径


。昕感科技作为中国功率半导体领域的领先企业，已完成从芯片设计、晶圆制造到模块封测的




全产业链布局




；西电技所作为我国电力电子行业技术归口研究所，拥有近六十年




功率半导体器件




研发底蕴，




行业标准引领地位突出




。双方积极推进共建联合创新平台，在


万伏级碳化硅芯片设计


、


超高压器件工艺开发


、


可靠性验证


及


产业化应用


等环节开展系统性合作，推动创新链与产业链深度融合。

未来，昕感科技与西电技所将充分发挥各自优势，以10kV 碳化硅芯片和4500V IGBT芯片项目为切入点，在


技术攻关、平台共建、人才交流与项目投资


等方面开展务实合作，共同推动我国高压功率半导体技术自主可控和产业高质量发展。