7月21日,德州天衢新区举行重点项目 签约仪式。齐鲁工业大学材料科学与工程学部总投资3亿元的 年产3万片氮化铝单晶衬底材料项目签约落地。
氮化铝单晶,是第四代超宽禁带半导体的核心衬底材料,深紫外光源、高压功率器件、6G射频、新能源汽车电控系统都离不开它,长期面临量产难题。齐鲁工业大学材料科学与工程学部拥有完整科研团队和中试平台,长期扎在宽禁带半导体晶体生长、薄膜制备等方向上。签约后,将与当地共建联合研发实验室,聚焦大尺寸晶体生长、衬底良率提升和低成本量产工艺,推动氮化铝相关成果快速中试落地。
来源:德州天衢新区
一颗芯片的制造工艺非常复杂,需经过几千道工序,加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群:
长按识别二维码关注公众号,点击下方菜单栏左侧“ 微信群 ”,申请加入群聊
点此加入艾邦半导体产业通讯录
分钟级生成专业深度报告
提升调研效率
企业数据API一站式服务平台
精准锁定招商目标
全流程管控招商过程
专业企业信息查询工具
全面、精准、实时的企业情报服务
构建动态更新的产业链数字资产,
为产业规划、招商引资提供精准导航。
推动招商从大海捞针到精准锁定、
全程透明、数据决策。
AI报告
电话咨询
在线咨询