CIS巨头，冲进光互连赛道

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在今年的慕展上，


图像传感器


大厂思特威首次对外展出了其Micro


LED


高速光互连方案。其实早在今年3月思特威公布的2025年年度报告中，公司就披露了SerDes 芯片、Micro LED 光互连、物理互连等关联业务，一系列业务都指向了高速互连领域。这也让人好奇，图像传感器厂商进入光互连赛道，到底是为了跟风当前火爆的光互连市场，还是CIS技术已经开始复用到光互连领域？




在展会现场，我们也与思特威专家了解了其中一些技术细节。




跟现有的光互连方案相比，MicroLED光互连主要是在光源部分有所差异。现有的光互连方案利用VCSEL/DFB等激光器，依靠激光器的高性能在单一通道上实现高达200Gbps的超高速率，在相同带宽的光模块下，通道数量相对比较少。但另一方面，这类激光器对工作温度敏感，通常需要复杂的温控和散热设计，且对封装、对位精度要求极高，导致其成本和功耗较高。




而MicroLED光互连，顾名思义就是将现有的比如光模块中的VCSEL等光源换成了MicroLED灯珠，虽然MicroLED的单通道速率较低，目前只有个位数的Gbps，但因为MicroLED具备体积优势，通过组建MicroLED阵列，比如一个800G的光模块，可以使用20x20的2Gbps MicroLED阵列，即一共400个2Gbps的低速通道来实现，而整个20x20的MicroLED阵列面积可以做到不足1平方毫米。




同时值得注意的是，功耗也是当前光互连技术中的一项技术难题，功耗过高会导致光模块散热困难，影响器件寿命并降低可靠性。相较传统激光方案，MicroLED的方案功耗降低50%以上；且MicroLED光源与CIS工艺高度兼容，规模化量产成本优势显著。




那么问题来了，多达400个通道，怎样通过光纤来进行连接？思特威专家介绍，这项技术实现了单通道3GHz的高速传输能力，现场Demo采用10×10的MicroLED像素阵列，通过单根光纤内含约10000根芯的多芯光纤，配合微光学


耦合


系统完成精准对准，实现一对一的光


信号


传输。

图源：电子发烧友网摄

根据思特威展台资料，完整的MicroLED光互连链路分为三大功能模块：发射端光引擎、


光学


传输介质、接收端电芯片。电信号经串并转换后输入驱动IC阵列，驱动MicroLED发光阵列完成电光转换；光信号通过光纤等传输介质传递至接收端，经


光电


探测阵列完成光电转换，再由


TI


A/LA放大电路和并串转换输出电信号。发射端与接收端之间通过微光学耦合系统实现对准。整个系统采用数模混合设计，将发送端（TX）驱动阵列、MicroLED光源、接收端（PD）探测阵列及RX信号处理阵列集成在一颗芯片上。

图源：电子发烧友网摄

由于单通道发光频率高达3GHz，肉眼无法分辨每个LED的实时变化，因此现场Demo演示中，将128个时刻的MicroLED阵列状态拼合成一张缩略图，直观展示数据传输过程中每个像素的独立变化状态。同时屏幕右侧则实时显示着解码后的数据流，包括“HELLO WORLD”等测试文本，以及思特威Logo图像的接收与还原。




值得注意的是，思特威在方案中主要负责收发两端的芯片设计，包括驱动IC、PD探测阵列、TIA/LA放大电路及信号处理；而微光学耦合系统、MicroLED外延等则由合作伙伴提供。




从思特威在方案中的切入方向来看，实际上也与其长期积累的CIS技术存在高度同源性。现场专家表示，思特威在CIS中的三层堆叠、数模混合芯片设计、像素级信号处理、高速


驱动电路


等成熟技术，都可以迁移到光


通信


领域。




与CIS相比，这套光互连方案的技术差异主要是侧重点不同。目前CIS追求高分辨率（如旗舰


手机


CIS的2亿像素）但帧率相对有限（约60帧），而光互连PD阵列分辨率仅数百级，但对带宽和响应速度要求极高，单通道速率达到GHz级别。





小结：





据透露，思特威的MicroLED光互连收发芯片将会在今年12月正式推出市场。同时今年5月，思特威与紫光展锐正式达成战略合作，围绕光互连芯片设计与系统解决方案落地展开深度协同。双方将携手研发新一代MicroLED CPO光互连解决方案，结合思特威的光传感与MicroLED阵列技术，以及紫光展锐的高速SerDes技术，实现光引擎与算力芯片的高效集成。


当高速互连成为


AI


基建扩张的瓶颈时，一家在光电信号转换领域深耕多年的CIS企业，恰好站在了解决这一难题的最佳位置，这也是AI时代最令人振奋的故事模板之一。