三星公布下一代AI存储路线图 多款硬核技术亮相

近期，


三星


电子在美国圣克拉拉举办的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，正式公布了面向


AI


基础设施打造的下一代存储技术路线图，首次对外展示了zHBM高带宽内存、zNAND-O概念产品，同时推出了采用晶圆键合技术、层数突破400层的V10 BV-NAND闪存产品，给AI时代的存储硬件升级带来了全新的技术方向。

现在全球AI算力集群的规模越来越大，大模型训练和推理过程中，算力芯片要频繁和内存、闪存交换海量数据，数据传输的速度和容量，已经成了限制AI算力进一步释放的核心瓶颈。三星这次公布的整套下一代存储路线图，就是专门瞄准AI场景的核心痛点，从高带宽内存和大容量闪存两个方向同时发力，给AI算力集群打造更高效的存储底座。

这次最受行业关注的全新技术当属首次公开亮相的zHBM，和现在主流的平铺式HBM内存不同，它的设计思路是把高带宽内存直接垂直堆叠在AI加速器芯片的正上方。这种设计相当于把内存直接“贴”在了算力芯片身上，数据在内存和


处理器


之间传输的距离被大幅缩短，几乎没有多余的传输路径损耗。按照三星公开的技术参数，搭载下一代专属


接口


系统的zHBM，整体性能能达到当前HBM5产品的8倍，同时依托全新的晶圆键合技术，内存密度能超过HBM5的10倍，整个系统的能效表现也得到了大幅提升，能直接解决AI大模型运行时“算力等数据”的老问题。

在NAND闪存领域，三星也拿出了重磅的升级成果，首次发布了全新的V10 BV-NAND架构。这款产品同样采用了先进的晶圆键合技术来堆叠存储单元，层数直接突破了400层，相比上一代V9产品，整体的存储密度提升了约58%，单位空间里能塞下的存储容量变得更大，同时产品的读写速度和IO响应性能也得到了明显改善。对于AI数据


中心


来说，用这款400层以上的NAND闪存搭建大容量存储集群，同样的机柜空间里能部署的总存储容量直接涨了一大截，既能降低数据中心的机柜占用数量，也能减少整体的能耗和运营成本。

除了这两款首次亮相的前沿概念产品，三星也同步展示了完整的AI存储产品落地路线，覆盖了HBM4E、HBM5、LP


DDR


5X-


PI


M以及企业级固态硬盘PM1763等多款成熟度更高的产品，从面向AI训练的高端高带宽内存，到面向边缘侧AI设备的智能内存，再到数据中心大容量存储，形成了完整的全层级AI存储产品矩阵。

随着这批下一代AI存储技术逐步从概念走向量产落地，将为全球AI算力基础设施的性能升级提供扎实的硬件支撑，进一步推动大模型训练、推理效率的持续提升。