国产GaN出现新突破，多家企业推进布局

来源：行家说三代半

晶湛半导体展示6寸N面GaN生长优异的表面粗糙度结果

同时，晶湛半导体通过不同生长参数优化，将6英寸外延片翘曲控制在30µm以内，达到行业领先水平。

晶湛半导体展示6寸N面GaN生长优化前后翘曲对比

据“行家说三代半”调研发现，目前还有九峰山实验室、住友电工、Transphorm等企业或机构也在积极推进氮极性氮化镓研发应用：

• 九峰山实验室：2025年3月，九峰山实验室在官微公布了其GaN系列成果，包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI），键合界面良率超 99%。

• 住友电工：2022年10月，住友电工官网发文称，他们开发出了可用于“后5G”的单晶衬底GaN HEMT。该器件是他们通过在氮化镓晶体中添加N极性所制成的，可满足晶体管高输出、高频率的需求。

• 大阪大学：2022年9月，大阪大学官网发文称，他们利用蓝宝石衬底成功研发了2英寸低成本N极性GaN-on-AlN，AlGaN 的 AlN 比例从20%提高到100%，二维电子气达到3.6×1013cm^-2 。
  

• Transphorm：2019年，Transphorm获得了美国国防部(DoD)海军研究办公室(ONR)的研发合同，为期三年，总价值1590万美元（约1.1亿元人民币），该计划的核心目标是将蓝宝石基N极性GaN商业化。

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