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数据库重磅！停摆四年的大连NAND工厂终迎“复活”
据韩国《首尔经济日报》8月11日报道，SK海力士已正式重启位于中国大连的NAND闪存生产基地二号工厂的建设。这座四年前动工、因行业低迷长期停摆的工厂，计划于今年年底前完成半导体生产设备导入，力争明年上半年正式投产。大连厂区整体产能将因此提升约50%。
项目概况：从停摆到重启
SK海力士于2021年完成对英特尔NAND业务的收购，成立子公司Solidigm，同时接手大连一号工厂及相关厂区。2022年5月，公司启动二号工厂建设，但随后遭遇存储芯片行业深度下行周期，叠加美国对华半导体设备出口管制收紧的双重冲击，二号工厂仅完成主体框架建设后便长期停滞。
据半导体业界8月11日消息，Solidigm自今年上半年起已恢复对大连二号工厂的投资，并重启现场施工。厂房主体建筑已经完工，设备搬入最早将于11月启动，计划在明年上半年建立量产体系，正式生产NAND闪存。
产能方面，新建产线的晶圆月投入能力约为5万片。加上现有大连一号工厂约10万片的月产能，当地整体产能将从10万片提升至15万片，增幅约50%。业界人士透露，二号工厂计划采用与一号工厂相同的设备配置，月晶圆投入能力预计在4万至6万片之间。
重启动因：AI需求驱动NAND价格暴涨
大连二号工厂投资时隔四年重启，根本驱动力来自人工智能数据中心扩张带动的企业级固态硬盘（eSSD）需求激增。据行业数据，NAND闪存价格在一年内上涨近10倍。
这一价格走势与SK海力士近期的战略布局相互呼应。就在大连二厂重启消息传出前数日，SK海力士于8月7日宣布将投资54.3万亿韩元（约合383亿美元）建设韩国龙仁Y2晶圆厂和清州M17晶圆厂。其中，清州M17工厂投资额达19.1万亿韩元，计划于2028年底启用首个无尘室，用于生产下一代NAND产品。从韩国本土到中国大连的密集投资布局，折射出SK海力士对AI时代存储需求长期景气的坚定判断。
双轨策略：大连主攻成熟制程，清州聚焦高端堆叠
借助大连二号工厂的重启，SK海力士明确了NAND生产与销售的“双轨”策略：大连基地主要生产基于成熟工艺的通用型NAND，清州基地则专注于先进高堆叠NAND的研发与生产。
具体而言，大连方面将延续英特尔原有的浮栅（FG）结构工艺，以约100层级的NAND产品为主，重点提升生产效率；而300层及以上的高堆叠NAND产品，则集中在清州M17等韩国国内产线生产。这一分工既充分利用了大连工厂承接自英特尔的成熟工艺与设备基础，也将最先进制程保留在韩国本土，实现了产能规模与技术领先的兼顾。
写在最后
大连二厂的重启是SK海力士加速布局企业级存储市场的重要举措。在NAND价格飙升的背景下，这一曾被搁置的投资重新具备了经济可行性。从更宏观的视角看，这既是AI算力基础设施扩张传导至存储芯片制造的缩影，也标志着全球NAND闪存市场正在走出低谷、进入新一轮扩产周期。
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