存储订单，应接不暇！SK还海力士再投383亿扩产！

受惠AI服务器需求快速爆发，内存市况持续火热，促使韩国内存大厂SK海力士（SK hynix）加码扩产。

据财联社消息，SK海力士表示，将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务。其中，计划在龙仁投资35.2万亿韩元（约249亿美元）用于第二阶段芯片厂建设。龙仁工厂将生产HBM及其他下一代DRAM。

SK海力士6月才公布长期投资蓝图，计划砸下600兆韩元打造龙仁半导体产业园区，并投资100兆韩元扩充清州生产基地。龙仁Y2厂是该园区规划四座晶圆厂中的第二座，未来将主攻高带宽内存（HBM）及次世代DRAM，预计2027年7月动工，首座无尘室2029年6月启用。

为加速抢攻AI内存商机，SK海力士同时将龙仁半导体产业园区完工时程，由原定2045年大幅提前至2033年。目前龙仁Y1厂正在施工中，首座无尘室预计2027年2月启用。

至于清州M17新厂则将主攻NAND Flash生产，预计2027年2月动工、2028年12月启用首座无尘室。SK海力士看好AI服务普及持续推升企业级SSD与AI推论储存需求，因此持续弹性调整扩产策略，确保满足市场需求。

近年来，人工智能等新兴技术迅猛发展，显著拉动了对高带宽存储芯片（如HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的需求。以HBM为例，作为AI基础设施的核心组件，需求量呈指数级增长，直接挤占传统存储产能。全球范围内，DRAM和NAND闪存价格持续飙升。

据集邦咨询数据，26Q1通用型DRAM合约价环比增长93%-98%，Q2环比增长58%-63%；NAND合约价Q1环比增长55%-60%，Q2环比增长55%-60%。展望市场，AI服务器、智能体及数据中心的高速扩张，意味着数据处理量呈指数级增长。推动存储芯片进入供不应求的超级周期。SEMI中国总裁表示，2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，HBM产能缺口仍达50%至60%。瑞银认为DRAM供需紧张至少持续至2028年上半年。