三星将新增一座代工厂

三星电子计划改变其位于器兴市正在建设中的下一代半导体研发中心的用途。据14日消息，该公司已决定利用该生产线扩大其晶圆代工产能。尽管最初曾讨论过投资建设DRAM量产生产线，但该计划近期已有所调整。

此次主要量产目标 产品是用于下一代高带宽内存（HBM）的2纳米（nm）基片（逻辑芯片）。这 被解读为提前确保相关产能的策略，因为在英伟达等主要客户的推动下，HBM的供应预计将会扩大。

据半导体行业消息，三星电子正在推进一项计划，拟将位于器兴市正在建设中的 NRD-K 2 生产线用作代工生产线，而不是将其现有的研发设施用作代工厂。

NRD-K是三星电子正在建设的一座世界一流的综合研发中心，旨在确保其在未来半导体技术领域的领先地位 。该公司计划到2030年投资约20万亿韩元，建成三条生产线。其中第一条生产线已于2024年底竣工。

今年以来，我们一直在为NRD-K线2号线的建设做准备。位于器兴校区的原技术学院大楼已被拆除，目前正在进行包括场地平整在内的地基工程。

然而，NRD-K 2号生产线的用途很可能与最初的计划发生重大变化。近期，三星电子一直在推进一项计划，拟将该生产线用作代工晶圆厂（Send -Fab）。代工晶圆厂是指接收来自其他量产生产线的晶圆并代其完成特定工序的辅助晶圆厂。

目前正在审查的主要量产产品是提供给英伟达的用于HBM的2nm基底芯片。该基底芯片位于核心芯片下方，核心芯片由HBM中的多个垂直堆叠的DRAM组成，并支持HBM与系统半导体（例如图形处理器（GPU））之间的数据传输。它是决定HBM性能的因素之一。

由于全球大型科技公司大力投资人工智能 (AI) 基础设施，对 HBM 的需求预计将持续增长。特别是，三星电子计划将业界最先进的 2 纳米工艺应用于其即将推出的定制 HBM 和 HBM5（第八代 HBM），从而在性能上超越竞争对手。利用新的器兴晶圆厂迅速确保相关产能，似乎也是出于同样的原因。

一位消息人士解释说：“三星电子正在建设NRD-K 2生产线，目标是在2028年下半年投产，并已决定将其用作晶圆代工厂。由于NRD-K 2生产线规模相对较小，它将通过代工模式（send-fab）助力扩大最先进的半导体产能 。”

当然，考虑到晶圆厂的投产还有大约两年时间，业内人士认为NRD-K 2号线的用途可能会再次改变。

另一位官员表示：“虽然内部已确认，但实际采购订单（PO）的下达还需要更多时间。”他补充道：“由于半导体市场状况随时可能快速变化，我们不能排除具体投资方向和规模可能会进行调整的可能性。”

事实上，三星电子上个月还在评估将NRD-K 2生产线用作DRAM芯片代工厂的计划。为此，华城存储器事业部也制定了相关的投资计划。然而，随着三星电子本月修改了计划，DRAM量产集中于平泽园区的可能性增加了。

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