50 亿重磅布局！磷化铟高端光芯片产能再扩容

8月11日，纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地正式签约落地常州，以50亿元大额投入加码磷化铟激光芯片赛道，助力国内高端光芯片产业突破材料与产能瓶颈。

本次签约项目核心聚焦磷化铟高端激光芯片，将搭建专业化研发平台与规模化量产产线，致力于打造国内技术、产能双领先的光芯片智造基地，全面提升国产高端光通信芯片的研发迭代与产业化能力，补齐我国高速光通信领域的产业短板。

作为化合物半导体核心电子专用材料，磷化铟凭借高速、低损耗、高频稳定等独特性能，是高速激光器、光电探测器等核心光电器件的核心基材。当下AI服务器集群算力交互量激增，传统电互连技术难以适配超高带宽、低时延的传输需求，光互连成为算力传输主流方案。这也让作为光模块核心的磷化铟基光芯片，成为产业链自主可控的核心攻坚环节，市场需求持续攀升。

深耕化合物半导体光芯片赛道多年的纵慧芯光，持续加码产能与技术布局，产业化步伐稳步提速。早在2025年，企业5.5亿元高端光通信芯片项目已在常州武进高新区投产，成功搭建砷化镓、磷化铟两大芯片规模化生产体系。目前，其3英寸高速光芯片产线已完成通线，规划年产5000万颗高速光芯片，并配套完善的研发测试体系，持续夯实量产能力。

依托多年技术积淀，纵慧芯光已打通外延生长、芯片制造、封装测试全产业链流程，产品覆盖高速光通信、激光雷达、3D传感等多元场景，实现两大核心化合物半导体芯片的规模化落地。

项目落地也进一步夯实了常州光电材料产业集群优势。武进高新区已集聚近50个光电半导体产业链重点项目，构建起从材料、芯片到器件的完整产业生态。据悉，纵慧芯光二期光电芯片项目达产后，预计可实现年产值30亿元，持续放大区域产业集聚效应。

行业层面，高速光通信、AI数据中心的持续发展，为磷化铟高端光芯片打开广阔增长空间。当前国内高端光芯片仍存在较高进口依赖，此次50亿元项目落地，将有效推进磷化铟核心材料国产化进程，加速高端光芯片规模化量产，为我国光通信产业链自主可控、电子专用材料高端化升级提供有力支撑。