三星电子目标9月完成1d DRAM内存研发

发布时间：2026-08-19来源：SEMI

据韩媒the bell报道，三星电子目前正在加速10纳米级第七代DRAM（1d DRAM）的开发，并将开发完成时间订在今年9月，预计于12月将研发成果移交量产线，若进度顺利，最快有望在2027年底实现首批量产。

目前三星尚未公布良率数据，但业界评估，1d DRAM在热测试环节的良率已达预期目标。知情人士指出，考虑到成本与获利，三星电子若按照目前的制程开发方式难以直接支撑大规模量产，因此，公司正同步简化量产线上的制造步骤，以提升生产效率与成本竞争力。

另一方面，三星计划未将把1d DRAM导入HBM5E，产品预计将在2030年前后推出。

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据天眼查APP显示，近日，上海硅产业集团股份有限公司（简称“沪硅产业”）发生工商变更，注册资本由约27.5亿人民币增至约33.1亿人民币，增幅约20%。

资料显示，该公司成立于2015年12月，法定代表人为姜海涛，经营范围包括硅材料行业投资、集成电路行业投资、创业投资等，由上海国盛（集团）有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海嘉定工业区开发（集团）有限公司等共同持股。

据其披露的2025年年度报告，2025财年内，沪硅产业各子公司分别启动多项重点建设项目，聚焦300mm及200mm半导体（881121）硅片的技术能力提升与产能扩容，在300mm SOI硅片领域取得阶段性突破，主要产品已完成关键技术研发，进入量产落地与市场验证阶段。

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