长电科技高深宽比TSV研发取得突破

发布时间：2026-08-20来源：SEMI

8月19日，长电科技宣布在高深宽比先进TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。

长电科技的TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在进一步增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。

据介绍，此次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等关键工艺展开，制备的TSV孔径为1.5微米、深度为17微米，深宽比达到11.3:1。相较于较大孔径的TSV结构，1.5微米级小孔径对深硅刻蚀精度、孔壁介质层与金属层覆盖以及无缺陷铜填充提出了更高要求。

从应用方向看，高深宽比TSV研发能力可重点支撑两类高端先进封装场景。一类是3D堆叠集成，通过在下层晶圆或芯片中制备TSV，实现芯片之间垂直方向的电气连接。另一类是面向硅中介层等硅基互连结构，通过与再布线、微凸点、晶圆级封装等工艺协同，为2.5D集成、多芯粒互连及高带宽存储集成提供关键工艺支持。

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据天眼查APP显示，近日，上海硅产业集团股份有限公司（简称“沪硅产业”）发生工商变更，注册资本由约27.5亿人民币增至约33.1亿人民币，增幅约20%。

资料显示，该公司成立于2015年12月，法定代表人为姜海涛，经营范围包括硅材料行业投资、集成电路行业投资、创业投资等，由上海国盛（集团）有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海嘉定工业区开发（集团）有限公司等共同持股。

据其披露的2025年年度报告，2025财年内，沪硅产业各子公司分别启动多项重点建设项目，聚焦300mm及200mm半导体（881121）硅片的技术能力提升与产能扩容，在300mm SOI硅片领域取得阶段性突破，主要产品已完成关键技术研发，进入量产落地与市场验证阶段。

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