全球首款4层3D DRAM存算一体芯片，点亮了！

今日午间，谦合益邦推文传来一个值得庆贺的消息：

他们的4层3D DRAM堆叠存算一体芯片，回片点亮了。

说得直白点——芯片回来了，上电，跑通了。从实验室里的技术验证，迈进了可以做产品的工程阶段。

这步跨越，不容易。

更难得的是，核心团队从2018年就下场了——那时候“存算一体”还是学术冷门，他们已经在一轮轮流片、一次次试错里硬扛了六年。今天能全部在国内产业链上跑通，靠的就是这些真金白银砸出来的积累。

| “4+1”是什么

这颗芯片内部把1层逻辑计算层和4层DRAM存储层垂直叠在了一起。过去计算芯片和存储芯片在PCB板上平铺，数据要走很长的路；现在垂直堆叠，数据上下跑，距离短了几个数量级。距离短了，带宽就大，延迟和功耗就低。

4层DRAM垂直堆叠在逻辑计算层之上，层数每增一层，对准精度、散热、良率都指数级变难。之前业内大多停在2到3层，这次4层跑通，是实实在在的工程节点，不是PPT。

带来的提升是：访存带宽高了一个数量级，延迟和功耗各降一个数量级，单次数据处理成本也降一个数量级。对应到云游戏这类场景，就是卡顿更少、延迟更低、更省电。

| 两条腿走路

谦合目前有两条产品线。G100是一颗12nm的SoC，主打低功耗，已经在网易有道的翻译笔和学习机里用上了。能进量产产品，说明良率和可靠性过了客户那一关。C100系列面向云游戏场景。

有意思的是，这两款产品都没直接上3D DRAM堆叠，用的是更成熟的架构。先做产品、产生收入，同时养3D堆叠这条更长远的技术路线——手里有一款量产的芯片，和手里只有流片计划，处境完全不一样。

| 还差什么

从4层堆叠点亮到有竞争力的云端大芯片量产，还有距离。

制造端，3D DRAM堆叠的良率能不能做到商业化，还需要验证。三星、美光预计2030年前后才会有类似产品，谦合在国内找制造资源，能不能支撑大规模量产，是实打实的工程挑战。

软件端，新架构需要配套的编译器、工具链，生态要从零搭。

另外，从翻译笔里的边缘SoC到数据中心的大芯片，散热、可靠性、封装复杂度都不是一个量级。谦合要证明的不只是“能堆4层”，而是“堆完之后性能和成本能打过传统方案”。

| 总结

4层堆叠点亮是一个技术节点。但更值得看的是这家公司从2018年就开始的积累、两条腿走路的务实策略、以及产业资本用真金白银投出来的共识。

全球存储巨头还在概念验证阶段，一家中国公司在这个时间点跑通4层堆叠，已经拿到了参与全球竞争的入场券。后面能不能打出来，看工程化执行力。

路不容易，但方向没问题。

相关阅读：国调基金入局、中国移动加注：3D存算一体为什么值得投20亿？

声明：本文仅为信息交流之用，不构成任何投资建议，股市有风险，投资需谨慎。