技术突破 | 富加镓业6英寸氧化镓晶锭等径厚度逾70 mm

发布时间：2026-08-24来源：半导体材料行业分会

近日，富加镓业采用自主垂直布里奇曼法（VB法）成功生长出厚度超70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭，经平湖实验室HRXRD检测，结晶质量优异；同时经中国计量科学研究院检测，电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。

晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标，更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片，直接降低单片成本。该6英寸晶锭厚度经中国计量科学研究院权威检测，晶锭厚度平均值70.58 mm ，已超过主流碳化硅晶锭20-50mm的高度。

平湖实验室对VB氧化镓衬底进行了HRXRD多点摇摆曲线测试，结果如下：5个点位的FWHM均值为38.71arcsec，均低于50arcsec，表明衬底整体结晶质量优异。

电阻率是影响器件正向导通效果的关键参数，其均匀性决定了器件性能的一致性，是量产良率的重要保障。中国计量科学研究院对该6英寸衬底进行了电学性能检测，电阻率均值：16.4 mΩ·cm ，均匀性：6.8%。

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