英特尔先进封装的背后赢家

英特尔EMIB先进封装客户持续增加，带动EMIB必备的关键元件特殊硅电容需求激增，力积电为英特尔EMIB特殊硅电容独家供应商，出货跟着爆发，成为英特尔EMIB抢下多笔大咖订单幕后的大赢家。

力积电强调，该公司是英特尔EMIB特殊硅电容全球唯一通过认证的供应商，12吋产品已进入量产出货，目前产能严重供不应求，正积极扩产因应，目标2027年下半年月产能扩增到8,000至1万片，产能将比现在放大三至四倍。

业界指出，硅电容虽不负责传输资料，却是高功率先进封装维持供电稳定的关键元件。当EMIB整合更多运算晶粒与高频宽记忆体（HBM），运算速度及功耗同步提高，瞬间电流变化也会加大。硅电容可配置在高功率芯片附近，协助平抑电压波动与电源杂讯，维持封装内的电源完整性。

力积电说明，AI伺服器工作温度高，传统多层陶瓷电容（MLCC）在高温环境下有其限制，硅电容则有助控制细微的电源波动。此外，硅电容还具备体积小、电容量密度高及容易整合等优势，适合空间有限的AI伺服器、共同封装光学（CPO）及高阶运算模组。

力积电能切入这项市场，关键在于同时具备记忆体制程及晶圆代工能力。公司表示，12吋平台可利用成熟DRAM制程制作高电容量密度的硅电容，在较小面积内提供所需容值，锁定EMIB等高阶应用；8吋则采深沟槽式制程，服务一般模组及多元设计客户，目前每月出货约1,000至2,000片，后续月产能目标扩至5,000片。

硅电容的认证时间也是竞争门槛。力积电透露，相关产品完成认证可能耗时二至五年，该公司不仅已通过客户认证，也已申请相关专利。产品还须经过客户、基板及封装供应链验证，新进者难以在短期内跨越量产门槛；随英特尔EMIB放量，力积电先行取得认证的优势也开始转化为出货。

硅电容也让力积电既有设备找到新用途。力积电指出，随DRAM制程升级，既有38纳米、甚至未来25纳米设备均可转作硅电容，延长设备使用价值，也降低记忆体价格循环对营运的影响。公司表示，为承接后续订单，除调整现有产品配置，也正评估在国内外寻找新增产能空间。

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