韩国存储芯片，出口价格暴涨400%！

韩国作为汇聚三星和SK海力士两大存储巨头的国家，随着存储芯片的价格水涨创高，出口单价的涨幅也越来越高。

据韩国《朝鲜日报》报道，韩国DRAM出口价格持续飙升，AI驱动的HBM生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月1日至20日，韩国DRAM出口单价达到每公斤9.2183万美元，同比上涨401%，较2023年1月低点上涨约12.5倍。同期出口额增长504.8%，达到98.0662亿美元（约13.56万亿韩元）。

投资研究机构CitriniResearch对韩国DRAM出口统计数据分析显示，当前DRAM出口单价较2023年1月（当时单价降至每公斤约7,400美元，约10%% 200万韩元）已飙升约12.5倍。价格已攀升至前所未有的水平。

根据韩国银行的数据，7月份DRAM出口价格同比飙升了270.3%。美光公司也表示，其2026财年第三季度DRAM的平均售价（ASP）较上一季度上涨了60%左右。

HBM需求激增被认为是这场供需失衡的主要原因。高盛预计，明年全球HBM市场将比今年增长108%。随着AI加速器需求快速增长，存储器公司必须分配给HBM的DRAM产能也随之增加。

HBM是通过堆叠多个DRAM芯片制造的，与普通DRAM相比，生产相同容量的HBM需要更多的晶圆产能。用于AI加速器的HBM产能越多，留给PC、智能手机和全年龄服务器DRAM的产能就越少。

且这种情况没有丝毫缓和的迹象。

全球投资银行（IB）高盛预计，DRAM供应缺口将从今年的5.0%扩大到明年的5.9%。与之前的预测相比，今年上调了0.1个百分点（P），明年上调了3.4个百分点。并认为用于人工智能服务器的高带宽内存（HBM）和高容量服务器DRAM正在消耗有限的产能，导致即使是普通DRAM的供应也变得紧张。

TrendForce预计，到明年底，三星、SK海力士和美光用于HBM生产的晶圆投入量将占DRAM总晶圆投入的30%，但HBM占实际DRAM比特供应量仅约13%。内存厂商警告，AI需求推动的DRAM和NAND供应紧张可能持续至2027年以后。SK海力士表示，从供应端来看，2027年可能成为“内存行业历史上最严重的短缺年份”。高盛预计，供应短缺可能持续至2028年。

巨额的需求让存储原厂们营收创新高。三星2026年二季度营收达到171.5万亿韩元，同比大增130%，环比增长28%；营业利润更是飙升至89.49万亿韩元，同比大幅增长1813.8%，相较去年同期的4.68万亿韩元实现跨越式增长，环比亦增长56.4%；营业利润率高达52.2%，同比增幅达到1814%。净利润高达71.62万亿韩元，超出预估68.36万亿韩元，同比暴涨1299.9%，净利润率达41.8%。

SK海力士2026财年第二季度营业收入为79.3187万亿韩元，营业利润为60.5426万亿韩元，净利润为93.9226万亿韩元。2026财年第二季度营业利润率为76%，净利润率为118%。

而扩产计划也提上日程，但产能的转化也需要时间。早前，SK海力士宣布投资超过54万亿韩元，在龙仁和清州分别新建DRAM和NAND工厂；三星集团计划到2040年在韩国忠清地区投资约140万亿韩元，用于建造最先进的显示器、HBM工厂、下一代电池以及用于人工智能服务器的封装基板。