英伟达HBM，巨变

据报道，三星电子和SK海力士将提高其向NVIDIA供应的第六代高带宽内存（HBM4）中8层内存的比例。这主要是受NVIDIA供应策略的影响，旨在确保各种HBM内存选项的供应，同时兼顾发热量和供应链稳定性。此外，8层内存极 有可能成为下一代HBM4E的旗舰产品。

据业内人士26日透露，三星电子和SK海力士计划在今年下半年增加向英伟达供应8层HBM4显存。

此前，两家公司都曾为英伟达的下一代人工智能加速器“Vera-Rubin”系列提供12层HBM4产品。HBM是一种将多个DRAM垂直堆叠而成的内存，12层表示堆叠了12个DRAM。预计三星电子将于今年第一季度开始全面量产这些产品，SK海力士则将于第二季度开始。

然而，NVIDIA的HBM供应链战略近期发生了变化。根据从三星电子和SK海力士内部及外部收集到的信息，这两家公司计划在今年下半年逐步提高向NVIDIA供应的8层HBM4芯片的比例，而非12层芯片。

一位存储半导体行业官员表示：“最近，英伟达提出要求，将主要的HBM4供应产品从12层改为8层。”他补充道：“据我了解，今年下半年的供应计划已经相应修改。”

另一位官员解释说：“最初对 8 层 HBM4 有一些需求，但随着今年下半年该产品需求的增加，也影响了相关材料和组件的订单。”他补充道：“现在判断确切比例还为时过早，但 NVIDIA 使用 8 层 HBM4 的比例不断增加的趋势将会变得很明显。”

业内人士认为，多种复杂因素促成了这些变化。就性能而言，发热问题尤为突出。以HBM4为例，其作为数据传输通道的输入/输出（I/O）端子数量较上一代翻了一番，达到2048个，这不仅导致单个芯片的发热量显著增加，也使得整个服务器机架系统的发热量大幅上升。

据报道，供应链因素也产生了影响。目前，由于全球大型科技公司大力投资人工智能基础设施，HBM 面临严重的供应短缺。另一方面，HBM4 由于性能和密度的提升，在良率提升方面处于劣势。虽然作为 HBM 核心芯片的 DRAM 的良率可以相对快速地提高，但在将其堆叠成 12 层、键合和封装的过程中，良率会显著下降。

因此，可以解读为 NVIDIA 除了现有的 12 层 HBM4 之外，还在增加 8 层产品的供应，以确保未来 AI 加速器中可安装的各种内存容量选择。

一位半导体行业人士强调：“英伟达在其最新人工智能平台的设计过程中优先考虑散热管理。由于这是一个寻找最佳组合的过程，而不是降低单个芯片的规格，因此整体市场需求不会出现显著波动。”

现在看来，HBM4 的下一代产品 HBM4E 很可能也将采用 8 层结构，而不是最初计划的 12 层。HBM4E 计划安装在 NVIDIA 的下一代 AI 加速器“Rubin Ultra”中。

一位存储半导体行业的高级官员表示：“虽然我们也在讨论12层和16层HBM4E样品，但根据与客户的讨论来看，明年8层HBM4E很可能仍将是主要供应产品。然而，由于诸如Rubin-Ultra究竟会采用HBM4E还是HBM4等问题，目前整个行业仍存在很大的不确定性。”

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