豪掷万亿！半导体巨头宣布：新建第三座芯片工厂

AI算力产业高速扩张带动全球高端存储需求持续紧缺，全球NAND闪存龙头铠侠集团（KIOXIA Holdings Corporation）正式落地新一轮扩产计划。8月27日，铠侠通过官网官宣全新芯片工厂建设规划，将在日本北部北上厂区新建第三座制造工厂Fab3，专门量产适配AI海量算力负载的先进3D闪存产品，通过扩充高端产能，应对中长期AI存储结构性紧缺行情。

据公开资料显示，铠侠当前核心生产体系由两大基地构成，分别为四日市工厂与北上工厂。本次全新规划的Fab3厂区选址于北上工厂现有Fab2厂房南侧，依托成熟厂区配套落地建设，能够最大化复用现有生产设施、供应链体系与产线管理经验，有效降低建设与投产成本。按照企业规划，新工厂预计将于2029财年正式投入商业运营。

产能产品定位上，Fab3新厂将聚焦量产铠侠核心王牌产品——先进堆叠式3D闪存BiCS FLASH。该款NAND闪存具备高容量、高带宽、高稳定性的核心优势，是当前AI数据中心、智算集群处理海量训练与推理负载的核心存储载体，能够精准匹配智能体AI、物理AI、端侧AI全场景迭代带来的爆发式存储需求。

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铠侠在官方声明中明确表示，随着人工智能技术多场景深度落地，闪存行业将迎来长期、持续性的增长红利，市场增量空间广阔。本次投建Fab3新工厂，核心目的在于持续扩充高端3D闪存产能，稳固企业核心产品出货能力，保障全球市场尖端闪存产品的稳定、高效供应，精准承接AI产业带来的增量订单，缓解行业供需失衡压力。

值得注意的是，铠侠同时披露了项目灵活推进机制。企业表示，Fab3工厂的具体建设节奏、细化落地规划，将根据未来全球存储市场行情动态调整；同时该项目的最终投资落地，也将依托日本政府相关产业扶持政策与资金支持推进，保障项目高效、有序落地。

行业分析指出，当前AI大模型迭代、算力中心规模化建设，正在重塑全球存储芯片供需格局，传统消费级存储需求趋于平稳，而面向数据中心的高端高带宽3D NAND闪存持续供不应求。铠侠作为全球存储头部厂商，针对性加码AI适配高端闪存产能，既能够巩固自身在高端存储赛道的龙头地位，也将为全球AI算力基础设施建设提供关键存储物料支撑，进一步平衡全球高端存储供应链体系。

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