热烈庆祝第四届玻璃基板暨先进封装产业链高峰论坛圆满举办！

8月26日，艾邦举办的第四届玻璃基板暨先进封装产业链高峰论坛在深圳正式启幕。本次论坛共有13份演讲报告分享，汇聚产学研各界精英，共同探讨TGV技术的最新进展、工艺难点、市场趋势以及产业链协同路径。

随着AI算力需求爆发与制程微缩逼近物理极限，玻璃基板凭借优异的高频电学性能、热稳定性与面板级扩展能力，被业界视为延续摩尔定律、释放芯片性能的关键使能材料。论坛上，山东力诺药包从材料本源出发，发布先进封装基板玻璃原片技术方案，为AI芯片封装基板筑牢材料根基；华中院与卓联电子提出铜浆增材制造TGV的低成本绿色方案；SCHMID迅得科技分享了玻璃基板湿法制造解决方案，新铂科技与哈工大则从高能脉冲电源角度破解TGV通孔磁控溅射种子层工艺难题；蔚华电子、中电科风华展示了TGV全流程量检测装备；蓝星有机硅、赛姆烯金、沐芯联分别从封装材料、石墨烯金属化、混合键合清洗等关键环节贡献了解决方案；芯德半导体、中科四合、巽霖科技、浙江大学则从AI芯片高端封装、板级扇出封装、产业化实践与光波导技术等维度，描绘了玻璃基板在AI核心芯片、功率半导体、光互连等赛道的广阔前景。

华中科技大学温州先进制造技术研究院/温州卓联电子材料有限公司 研究员/CEO 李运钧带来《铜浆增材制造玻璃TGV电路板技术》演讲报告。围绕铜浆增材制造TGV通孔填充及界面热应力匹配等核心难题，完成材料配方、塞孔工艺和可靠性验证的系统性建模、仿真与实验工作，搭建起印刷增材制造中试平台，研发并优化高深径比TGV通孔填充工艺及增材RDL制造技术，建成较大规模洁净车间及全流程制样产线，具备从打孔、塞孔到电路印刷的完整能力；研制出微米级TGV通孔填充样品、大尺寸双面玻璃TGV电路板及透明显示基板，铜柱电阻、附着力、CTE匹配性等关键指标均优于传统电镀工艺，可靠性显著提升。卓联电子在铜浆材料、专用塞孔设备和印刷工艺方面获多项发明专利，部分成果已向多家客户交付验证并获认可。最后，报告人还介绍正在计划融资建设生产线，计划融资主要用于玻璃TGV电路板生产线建设，推进建成全球首条铜浆印刷增材制造TGV产线，实现批量产业化生产，提供TGV塞孔板、内层芯板、多层RDL电路板。

江苏芯德半导体科技股份有限公司副总经理张中带来《核心终端产品芯片方阵以及AI核心芯片高端封装解决方案》主题报告。报告从3C终端产品的芯片拆解出发，系统梳理了CPU、GPU、存储、电源管理等核心芯片的封装方案演进。聚焦AI算力需求爆发，报告分析了AI服务器中GPU、HBM存储、光模块、电源管理芯片四大核心硬件对高性能封装的严苛要求，指出HBM堆叠技术正从传统TC-NCF/MUF向混合键合演进，以满足更高带宽与更低功耗需求。芯德半导体展示了在2.5D/3D封装领域的技术布局，涵盖RDL中介层、硅中介层、FOCT-L等多种异构集成方案，并重点探讨了玻璃基板在先进封装中的多元应用场景，包括玻璃中介层、玻璃芯载板、玻璃IPD及CPO光电共封等。依托完整的bumping平台和CAPiC先进封装技术平台，芯德已具备从传统封装到2.5D/3D、CPO等高端封装的全栈解决方案能力，可全面支撑AI、HPC、光通信等新兴应用需求。

SCHMID迅得科技（广东）有限公司  Laurent Nicolet带来《SCHMID Solution for Glass Substrate manufacturing》主题报告。报告聚焦玻璃基板TGV通孔制造的湿法工艺解决方案。SCHMID提出激光改质与蚀刻相结合的两步法成孔工艺，通过超短脉冲激光在玻璃内部形成改性通道，再经湿法蚀刻选择性去除改性区域，可获得高圆度、低锥度、侧壁光滑的通孔。此外，报告还介绍了面向玻璃基板平坦化需求的CMP设备方案等等。SCHMID提供从湿法蚀刻、清洗到平坦化的全流程设备平台，助力玻璃基板TGV量产制造。

蔚华电子科技（上海）有限公司执行长杨燿州带来《TGV激光诱导孔、刻蚀孔与金属化之非破坏性检测》主题报告。报告指出，玻璃基板虽在翘曲改善、CTE匹配和电气性能方面优于有机基板，是AI芯片高性能封装的关键材料，但其透明、易碎特性使激光改性、刻蚀和金属化等环节易产生微裂纹、空洞等隐蔽缺陷，传统AOI受透明材料散射影响检测受限，X-ray则存在通量和分辨率不足的问题。为此，蔚华推出SPIROX LTS激光断层扫描技术，运用非线性光学原理对玻璃内部折射率变化进行非破坏性层析成像，可清晰呈现TGV激光改性形状均匀性、蚀刻形貌及金属化后裂纹状况，并动态观测孔内纵向结构变化。其SP8000G检测系统覆盖玻璃基板从激光改质、刻蚀到金属化全制程的检测需求，为解决TGV量产中的良率瓶颈提供了关键检测手段。

蓝星有机硅资深电子胶技术服务工程师曾静带来《蓝星有机硅IGBT/SiC功率模块封装解决方案》主题报告。报告介绍了蓝星有机硅作为全球一体化有机硅材料制造商，在功率半导体封装领域的完整产品矩阵。针对IGBT/SiC模块的高耐温、高绝缘、高可靠性需求，重点推出ESA6022/ESA6033双组分灌封硅凝胶，具备优异的耐高温性能，适配SiC高温工况，兼具低粘度、优异抗离油性能和良好的介电强度，老化及热冲击测试表现稳定。在模块侧框粘接密封方面，CAF EA633-2EC单组分加热固化胶粘剂，对常见基材粘接强度高，耐温范围广。此外，针对工业级IGBT模块在含硫环境（海上风电、轨道交通、石化等）中的腐蚀风险，提出双层灌封及防硫硅凝胶ESA6066方案，可显著抑制硫化腐蚀枝晶生长，提升模块在严苛工况下的长期可靠性。报告还覆盖了导热硅脂/凝胶等热管理材料，为功率模块提供从灌封、粘接到散热的系统级封装材料解决方案。

深圳市赛姆烯金科技有限公司总经理陈伟元带来《先进封装用玻璃基TGV金属化及复合铜填孔解决方案》主题报告。传统TGV金属化依赖磁控溅射PVD等设备，存在投入高、深孔加工能力受限、工艺复杂等问题。赛姆烯金推出石墨烯金属化技术，利用石墨烯比表面积大、导电性好的特性，在TGV孔壁形成超薄连续导电层，替代PVD溅射钛铜工序，实现全湿法一体化工艺，大幅简化流程、降低设备投入。该技术可同时完成板面和通孔金属化，有效缓解铜与玻璃CTE失配导致的微裂纹问题。在此基础上，公司进一步开发石墨烯复合铜材料，兼具更高导电导热性和可调CTE，用于TGV通孔填充，进一步提升填孔质量与可靠性。报告展示了在多种厚径比玻璃基板上的验证成果，产品已在多家客户进行应用验证，为玻璃基先进封装金属化提供了绿色低成本的国产替代方案。

深圳中科四合科技有限公司市场总监赵铁良带来《先进板级扇出封装创新与应用》主题报告。报告指出，当前以FAB厂主导的晶圆级先进封装存在“堆料换性能”的路径依赖，成本持续攀升。中科四合提出基于板级工艺的体系重构路径，以方形大尺寸面板替代圆形晶圆作为加工单位，单次可封装数十万颗芯片，实现巨量化生产，成本显著降低。在性能方面，板级扇出封装采用铜制程互联替代传统引线键合，有效降低内阻与热阻，并支持更薄封装与双面散热设计。报告重点展示了该技术在功率半导体（MOSFET、GaN、SiC）、射频器件/模组、保护器件及系统级电源模组等领域的应用成果，对比传统封装在寄生参数、散热和集成度方面均有大幅改善。中科四合已在厦门建成世界首家功率芯片/模组大板级扇出封装量产工厂，为客户提供从设计到制造的一站式解决方案。

浙江大学副教授郝寅雷带来《面向光互连应用的离子交换玻璃基光波导技术》主题报告。报告指出，随着AI算力爆发式增长，数据传输已成为系统瓶颈，传统铜互连面临物理极限，“光进铜退”在数据中心持续深化。玻璃材料因透光度好、均匀性高、大尺寸易得且成本亲民，成为光电共封装（CPO）和光互连的理想介质。离子交换技术可在玻璃中形成梯度折射率波导结构，具有基片无损伤、设备投资少、波导并行制作效率高等优势。报告重点介绍了玻璃基光波导在电光电路板导光层、光电封装中介层、玻璃桥连接器等短距离互连场景的应用前景，特别是面向CPO/NPO的玻璃桥方案。浙大团队在该领域积累了近二十年研发经验，突破了专用玻璃材料、掩埋式波导、浅埋式波导及双面波导等关键技术，波导性能指标已与国际先进水平同步，正积极推动技术向产业转化。报告最后呼吁业界加强产学研合作，共同应对光互连时代的技术挑战。

中电科风华信息装备股份有限公司市场部产品专家刘明辉带来《先进封装TGV和RDL一站式量检测方案》主题报告。随着玻璃基板在先进封装领域的快速推进，TGV通孔、激光盲孔和RDL再布线层等工艺环节的缺陷检测与尺寸量测成为良率提升的关键。中电科风华推出Venus6200一站式量检测设备，是国产唯一实现TGV与RDL全流程同步检测的方案。该设备支持面板级大尺寸基板及晶圆级基板检测，覆盖从TGV钻孔、激光诱导、CMP到RDL布线的全工艺节点，可检测微裂纹、气泡、空洞、断短路、金属残留等各类缺陷，并同步完成孔径、位置度、同心度、线宽线距等关键尺寸量测。设备集成反射明场、透射明场、暗场、荧光等多模态成像技术，一机多能，已成功向国内多家头部客户出货并通过产线验证，为解决TGV量产中的良率瓶颈提供了国产高端检测装备支撑。

山东力诺医药包装股份有限公司研发总监张海鹏博士分享《先进封装基板玻璃原片的机遇与挑战》专题演讲，传递力诺药包在高端特种玻璃新材料领域的技术积淀与产业思考。该方案聚焦原片配方研发核心环节，针对先进封装场景对基板材料的严苛性能要求，打造具备高平整度、高耐热、低膨胀、优异高频特性的玻璃原片技术方案，为AI芯片封装基板提供材料端技术支撑。张海鹏博士从材料本源出发，深度拆解玻璃基板原片在先进封装产业链中的核心定位，以及行业当前的技术攻关方向。他指出，AI算力需求爆发与先进封装技术快速迭代，为玻璃基板产业打开了广阔成长空间，本土材料企业迎来深度参与产业链、推进国产替代的重要机遇。并且，张海鹏博士同步介绍了力诺药包在玻璃基板配方研发、熔制工艺优化等方面的阶段性成果，展现从原片端筑牢性能根基的技术实力。

杭州沐芯联科技有限公司创始人严宏教授带来《先进封装C2W混合键合工艺的清洗技术的发展和在玻璃基板上的应用》主题报告。报告指出，随着制程微缩逼近物理极限，先进封装已成为算力升级的主战场，混合键合技术则是实现高密度堆叠的核心路径。清洗工序在先进封装中占据关键地位，失效分析表明清洗相关缺陷是良率损失的首要因素，尤其在高深宽比TGV通孔、多层堆叠死角等复杂结构中，清洗液浸润置换难度骤增，同时对铜界面氧化控制和原子级表面粗糙度要求极为严苛。沐芯联提出T.A.C.T能量耦合模型，从时间、化学、温度、物理四个维度系统优化清洗工艺，并构建了试剂、设备、工艺三位一体的整体解决方案。针对玻璃基板这一新兴载体，报告分析了其相比有机基板和硅中介层在CTE匹配、高频损耗、面板级扩展等方面的综合优势，同时指出玻璃界面活性、TGV深孔清洗等新挑战。沐芯联已建立湿电子化学品与高端清洗设备双研发中心，并与东南大学共建异质集成清洗技术联合验证中心，致力于打破高端清洗领域国际垄断，推动先进封装清洗技术的国产化进程。

天津巽霖科技有限公司董秘王宁尔松带来《后摩尔时代：国产TGV高密互连玻璃基材产品战略与产业化实践》主题报告。报告从有机基板的物理极限切入，指出CTE失配、高频损耗、不透光性等瓶颈已无法满足AI算力与高速光通信需求，玻璃基板凭借低CTE、超低介电损耗、纳米级平整度、高透光率及大尺寸面板级扩展能力，成为材料科学的必然选择。巽霖科技依托清华系团队与航空级PVD技术积累，将热障涂层工艺降维应用于玻璃覆铜，实现了高结合力、低应力的金属化方案，并完成从TGV通孔到多层HDI的全链条工艺贯通。巽霖科技还展示了在Mini/Micro LED显示（已批量出货，头部客户验证通过）、CPO光电共封（布局光电混合集成中介层）和AI先进封装（对标ABF与硅中介层替代）三大赛道的产品布局与产业化进展。目前，巽霖已在天津建成规模化量产线，拥有专利壁垒，并积极倡导产业链上下游协同，共建玻璃基板产业化生态。

新铂科技（东莞）有限公司/哈尔滨工业大学 CTO、教授 田修波带来《TGV 通孔内壁磁控溅射金属种子层的高能脉冲电源选择》演讲报告。演讲主要围绕TGV（玻璃通孔）封装中金属种子层沉积的电源选择展开。在剖析后摩尔时代AI芯片大型化对先进封装材料提出新要求、玻璃基板迎来发展机遇的背景下，重点探讨了TGV深孔内壁镀膜对等离子体的严苛需求（高能量、高密度、高指向、高活性）。为解决深孔台阶覆盖率难、易打火等问题，演讲详细介绍了高能脉冲磁控（HiPIMS）电源与高频偏压电源的协同方案。通过可编程的波形控制，精准调制离子能量和轨迹，实现离子的垂直导向与有效黏附，从而大幅提升孔底及侧壁的覆盖率和膜层质量。最后介绍了新铂科技在国产高能脉冲电源领域的产品布局及研发实力，展现了其产学研结合的技术优势。