投资超40亿美元！又一先进封装生产基地，正式动工

据今日半导体媒体消息，SK海力士于当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特市普渡大学霍洛威体育馆举行了面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式。SK海力士CEO郭鲁正、SK集团美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙等高管出席仪式，标志着美国首个HBM生产基地正式破土动工。

投资超40亿美元，美国首个HBM生产基地落地

这座总投资额超过40亿美元（约合269亿元人民币）的印第安纳晶圆厂，预计于2028年10月完成无尘室（Cleanroom）建设，并于2029年下半年启动新一代HBM量产。若正式投运，该基地有望发展成为拥有1000余名员工的美国核心HBM生产基地，HBM年产量将达到数十万片。

值得注意的是，该工厂是美国境内首个实现HBM量产的晶圆厂，英伟达等美国科技巨头届时将采用SK海力士在美制造的HBM产品。印第安纳工厂坐落于普渡大学所持地皮，专注HBM先进封装（后道工序）及下一代HBM研发工作。

"韩国制造+美国封装"，打造跨太平洋供应链

印第安纳晶圆厂作为SK海力士在美国设立的首个HBM生产据点，其运营模式具有鲜明特色——基于韩国与美国生产体系的紧密连接进行运营。由于SK海力士目前在美国尚无前端DRAM晶圆产能，先进晶圆将在韩国（及部分中国工厂）生产后运至印第安纳，经过先进封装和测试环节，最终以"美国制造"HBM产品的身份直接供应给美国客户。

郭鲁正在动工仪式上表示："印第安纳项目旨在建立美国境内首个HBM生产基地，它不仅是'美国制造HBM'的首个供应核心据点，也将成为强化美国半导体供应链、为经济与安全作出贡献的重要基础。"他还透露，SK海力士正寻找在美国建设前端晶圆厂的合适机会，"对所有地点和国家均持开放态度"。

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芯片法案加持，联邦与州政府联合补贴

该项目的推进离不开美国政府的大力支持。SK海力士为印第安纳州先进封装厂建设投入约40亿美元，而美国政府依据《芯片与科学法案》提供最高4.58亿美元补助和5亿美元贷款。此外，印第安纳州还提供了7.12亿美元的激励方案，为州史上第二大半导体项目激励规模。州长将该项目建设誉为"印第安纳州历史上最大的开发项目"和"全美首创"。

生态合作扩容，预计创造7000个就业岗位

SK海力士计划通过晶圆厂的建设与运营，与美国本土企业共同创造约7000个直接及间接就业岗位。目前，超过100家涵盖材料、零部件及设备等领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特事宜进行洽谈，此举不仅将为晶圆厂的稳定运营提供有力支撑，预计还将进一步夯实当地AI生态系统。

在人才合作方面，SK海力士在奠基仪式上与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录。双方将加强研发合作，共同研究包括HBM在内的下一代系统集成及先进封装技术。SK海力士还计划扩大与美国中西部地区主要高校及研究机构的合作，致力于培养和引进全球顶尖人才。

面向下一代HBM，英伟达深度绑定

从技术代际来看，SK海力士目前量产的最新HBM为第六代12层HBM4，英伟达AI超级芯片平台"Vera Rubin"已搭载该产品。鉴于英伟达将持续升级平台性能，印第安纳州工厂很可能直接生产下一代HBM，而非第六代HBM4。目前，SK海力士正在研发第七代HBM4E内存。

英伟达已承诺与SK海力士共同开发存储器，作为双方7月达成的5000亿美元合作的一部分。SK海力士还成立了100亿美元的"AI公司"及子公司Solidigm，预计到2030年在美总投资及资产将超过450亿美元。

行业观察：HBM产能竞赛进入新阶段

随着AI大模型对算力需求的指数级增长，HBM作为AI芯片的核心配套元器件，其产能争夺已从韩国本土延伸至全球布局。SK海力士印第安纳基地的动工，意味着HBM供应链正式进入"美国本土化生产"新阶段，不仅将缓解美国科技巨头对供应链安全的担忧，也将进一步加剧全球HBM产能竞争的格局。

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