又一家上市公司宣布，12英寸碳化硅晶体生长实现突破！

据今日半导体媒体消息，近日，国内半导体材料与装备龙头企业晶盛机电发布了最新的投资者关系活动记录表，全面披露了其在半导体装备、碳化硅（SiC）衬底材料及金刚石材料等核心领域的最新进展。公司不仅成功攻克了12英寸碳化硅晶体生长的核心难题，更通过“国内+海外”双基地布局加速全球化产能扩张。

半导体装备多点开花，12英寸设备实现国产替代
在集成电路装备领域，晶盛机电正加速推进12英寸干进干出边抛机、双面减薄机等新产品的客户验证。其自主研发的12英寸常压硅外延设备已实现小批量销售，且电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度等关键指标均达到国际先进水平；12英寸硅减压外延生长设备也已顺利出货并取得重要客户复购。同时，12英寸原子层沉积（ALD）设备已进入国内头部逻辑产线验证。在先进封装领域，公司成功开发的超快紫外激光开槽设备，填补了国内高端紫外激光开槽技术领域的空白。

在化合物半导体装备方面，晶盛机电紧抓碳化硅产业链向8英寸切换的趋势，加强8至12英寸碳化硅外延设备、减薄设备及激活炉的市场推广，并已斩获客户订单。此外，碳化硅氧化炉及离子注入设备的客户验证进展顺利。

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12英寸碳化硅晶体生长实现突破，8英寸已大规模供应
在碳化硅衬底材料方面，晶盛机电实现了从技术突破到规模化供应的关键跨越。基于自主研发的单晶生长炉及持续迭代的长晶工艺，公司创新了晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克了12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，目前已向产业链客户送样验证。现阶段，公司8英寸碳化硅衬底已实现大规模供应，12英寸也已实现小批量供应。

加速全球化布局，马来西亚槟城项目预计2027年投产
为进一步提升全球供应能力，晶盛机电正积极推进全球化产能布局。公司已在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化项目，并在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成了“国内+海外”的双基地布局。目前，公司正加速推进6英寸及8英寸碳化硅衬底年产90万片项目的投产，其中马来西亚槟城项目预计将于2027年正式投产。