SK海力士CEO：预计存储芯片短缺将延续至2030！

据财联社报道，AI带动高阶内存需求持续升温，SK海力士CEO郭鲁正表示，目前全球内存芯片供应短缺的局面可能持续到2030年底，短期内看不到明显的产业下行风险。

SK海力士近日在美国印第安纳州西拉法叶举行首座美国HBM生产基地动土仪式，宣布投资逾40亿美元建设先进封装与研发设施，预计2028年下半年启用洁净室，2029年下半年开始量产下一代HBM4E，进一步扩大美国AI内存供应链布局。

郭鲁正在印第安纳州普渡大学所在地西拉法叶出席动土典礼后表示，随着AI数据中心、高效能运算及各类AI服务持续扩张，内存需求并未出现见顶迹象。他预期，目前由AI需求推动的全球内存供应紧张情况将持续至2030年，而即使未来市场成长放缓，也更可能是需求增速下降，而非需求出现大幅萎缩。

此次印第安纳州投资规模超过40亿美元，厂址位于普渡大学研究园区。该设施将包括先进HBM封装产线、洁净室、AI半导体研发中心及测试设施，并与普渡大学合作开发下一代先进封装技术。

公司规划，印第安纳州新厂将于2028年下半年开始洁净室运作，2029年下半年启动下一代HBM产品量产。

不过，印第安纳州项目的核心并非前段晶圆制造，而是先进封装。HBM必须将多个DRAM芯片垂直堆栈，并透过先进互连技术整合为高性能内存产品，因此封装是HBM供应链中不可或缺的一环。SK海力士此次在美国建立的设施，将强化HBM后段制造能力与研发，而大部分先进内存晶圆制造与扩产仍将集中于韩国。

除了美国投资外，SK海力士正同步在韩国进行大规模产能扩张。公司今年6月公布中长期投资策略，规划在龙仁、清州及西南部半导体聚落合计投入约1,100兆韩元，其中龙仁半导体园区长期投资规模预计达600兆韩元。公司原先规划至2045年完成龙仁第4座晶圆厂，如今已将时程大幅提前，目标2033年前完成第4座晶圆厂建设，以因应AI内存需求快速成长。

SK海力士在龙仁的第1座晶圆厂(Y1)也加速建设，第一间洁净室启用时间已从原订2027年5月提前至2027年2月。公司2月宣布，到2030年底前将在Y1新设施投资21.6兆韩元，使第1座晶圆厂整体建设投资规模提高至约31兆韩元。

公司本月再宣布投资约54兆韩元，建设龙仁Y2及清州M17两座新晶圆厂，其中龙仁Y2投资35.2兆韩元、清州M17投资19.1兆韩元。Y2预计于2027年7月动工，目标2029年6月启用第一间洁净室，将生产HBM及其他下一代DRAM产品；M17则预计2028年12月启用第一间洁净室，扩大DRAM与NAND产能。

郭鲁正表示，他目前没有看到内存产业即将出现重大下行循环的明确讯号。即使未来AI投资增速下降，他认为需求仍可能维持成长，只是成长速度放慢。