SK海力士美国HBM封装厂开建

发布时间：2026-08-28来源：半导体行业圈

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韩国存储芯片巨头SK海力士周四在美国印第安纳州为其先进存储芯片封装工厂和人工智能产品研究中心举行奠基仪式。这标志着该公司在美国的首个高带宽存储器（HBM）先进封装生产基地正式动工，吸引美方政学界高度关注。

该项目投资超过40亿美元，占地约133.5英亩，将成为SK海力士在美国首个高带宽存储器（HBM）封装基地也是美国推动关键半导体供应链本土化的重要项目之一。

SK海力士表示，将在美国印第安纳州西拉法叶市建造其首个美国先进封装厂，该工厂洁净室预计于2028年10月启用，下一代HBM量产计划于2029年下半年启动。项目全面运营后将成为重要HBM生产基地，随着未来生产全面步入正轨，该基地有望发展成为拥有1,000余名员工的美国核心HBM生产基地。

该工厂将专注于建造下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能(AI)系统的图形处理器的关键组件。

据美国商务部一位官员在仪式上透露，美国政府已根据“芯片与科学法案”（CHIPS）向SK海力士拨款4.58亿美元，用于支持该先进封装和研发项目。

另外据韩媒报道，韩国半导体企业三星电子、SK海力士持续对中国境内NAND闪存晶圆生产基地加大投资力度，扩充闪存芯片产能，助力调节市场供需。

据了解，自2026年上半年起，三星电子推进西安X2晶圆厂工艺升级工作，对原有老旧制程产线进行改造，升级至最新第九代V NAND（286层）技术。按照规划，企业将为该工厂引进全新蚀刻工艺设备，相关设备采购订单有望于2026年内完成落地。

与此同时，SK海力士将投资重点放在大连第二晶圆厂项目，规划新增月产3万片晶圆的生产能力，光刻机等核心生产设备预计将于2026年10月起陆续进场导入。

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