传铠侠拟投资1万亿日元！在日本建造新厂

据日媒报道指，由于AI普及，带动内存需求激增，日本NAND型闪存大厂铠侠(Kioxia)传出将投资超过1万亿日元，在岩手县兴建新厂房，增产NAND Flash。

据报导，铠侠利用四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂(岩手县北上市)生产NAND Flash，其中北上工厂有2座厂房，第2厂房(K2)于2025年9月投产，而铠侠决定在北上工厂内兴建第3座厂房(K3)。

消息人士称，新厂将生产铠侠最新的高密度3D闪存芯片，专为处理 AI 服务所产生的海量工作负载而设计。铠侠已于上个月开始出货此类堆栈式 NAND 芯片，即第十代 BiCS 闪存。

报导指出，铠侠已向半导体制造设备商等部分供货商洽询采购新厂所需的设备，且预估此次的投资也将运用日本经济产业省的补助金。

铠侠NAND Flash全球市占率(以金额计算)排第3，仅次韩国三星电子和SK海力士(SK Hynix)，而该2家韩厂已表明将在韩国进行巨额投资。

铠侠社长太田裕雄之前在6月表示，关于在北上工厂兴建新厂房，「已开始启动相关评估」，目标在2029-2030年以后投产，藉由增产投资因旺盛的需求。太田裕雄指出，「AI数据中心用需求正强劲扩张，NAND Flash市场热络。此种情况将持续至2027年」。

铠侠本季(2026年7-9月)合并营收预估将飙增433%至2兆3,900亿日元、合并营益将狂飙21倍(暴涨2,100%)至1兆8,900亿日元、合并纯益将狂飙30倍(暴涨3,020%)至1兆2,700亿日元，营收、营益、纯益将续创历史新高纪录。

关于NAND Flash市场展望，铠侠表示，2026年位成长率预估为15~19%、2027年预估将呈现需求超过供给(供不应求)的情况。

作为数据中心关键零组件的内存与储存价格正全面攀升，已对从英伟达（Nvidia）到汽车制造商与行动装置厂的获利空间造成压迫。英伟达高层先前在财报说明会中曾警告，供应吃紧以及储存成本上扬已对毛利率带来压力。