长鑫存储试产HBM3E

发布时间：2026-09-01来源：芯极速

美国科技媒体《The Information》8月31日报道，长鑫存储（CXMT）已启动HBM3E存储器的风险试产。该存储器厂商正推进产能扩张，预计到今年底DRAM产能将达到每月35万片晶圆。

HBM3E是当前AI高端处理器的核心配套存储芯片。长鑫推进HBM3E风险试产，意味着其产品进度距离三星电子、SK 海力士、美光等国际存储大厂已量产的HBM产品仅相差一代。

不过长鑫在HBM整体技术上，与国际头部厂商仍存在3‑5年差距。SK海力士早在2024年便实现HBM3E量产，即便头部厂商现阶段依旧面临良率爬坡难题。除此之外，美国出口管制政策，也限制长鑫采购部分尖端半导体生产设备，成为其技术推进的外部阻碍。

目前还不清楚长鑫存储HBM3E的具体产品规格。根据JEDEC规范，HBM3E接口位宽为1024‑bit，数据传输速率区间9.2Gbps‑12.4Gbps，行业主流标准配置速率为9.6Gbps。在9.6Gbps典型工况下，单堆叠HBM3E可实现1.2TB/s的总带宽。存储容量方面，采用8层堆叠、单层24Gb DRAM颗粒方案时，单堆叠容量可达24GB；采用12层堆叠架构，单堆叠容量最高可达36GB。

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