50 亿元重磅项目落地南京！布局 6 条磷化铟激光芯片产线，年产 2 亿颗光电器件赋能 AI 算力

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据今日半导体媒体消息，高速光通信上游核心光芯片国产化迎来重大布局。一项总投资 50 亿元的磷化铟（InP）半导体激光芯片产业化项目落户江苏南京，瞄准 AI 算力数据中心高速光源赛道，建设多条 4 英寸磷化铟激光芯片产线，补齐长三角高速光电器件供应链短板。

从项目规划资料来看，该项目选址南京，总占地约 140 亩。规划总建设建筑面积约 12.574 万平方米，计容建筑面积可达 15.413 万平方米，整体建筑高度控制在 30 米以内。厂区规划建设 3 栋生产厂房，同步配套动力站、甲类危化仓库、供氢站、变电站等关键生产保障设施，研发办公楼以及宿舍楼、食堂等生活配套，打造集芯片研发、晶圆制造、成品测试、员工配套于一体的综合性光芯片产业基地。

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在产线与设备配置层面，项目计划购置 MOCVD 外延生长设备、EBL 电子束光刻设备以及全套性能测试装备合计约 710 台（套）。规划落地6 条 4 英寸磷化铟衬底半导体激光芯片生产线以及配套测试产线。项目全面建成投产之后，将形成年产 2 亿颗光电器件以及模组的规模化产能。产品主要面向 800G、1.6T 高速光模块，AI 算力集群、电信骨干光传输等应用市场。

磷化铟激光芯片是高速光模块当中实现电光转换的核心光源器件，属于算力光通信产业链当中典型的 “卡脖子” 环节。当前国内高速率激光器芯片自给率偏低，新建大规模 InP 芯片制造基地，将有效缓解下游光模块厂商光源供应压力。

建设周期方面，项目建设跨度从 2026 年直至 2029 年。目前项目尚处在前期推进阶段：早在 6 月 23 日，项目规划设计方案已经进入批前公示环节；截至 8 月 31 日，各项前期手续办理工作正在稳步推进，工程设计同步开展，尚未进入正式开工施工阶段。

业内分析表示，南京布局五十亿级磷化铟激光芯片项目，是长三角完善 “衬底‑外延‑激光芯片‑光模块‑算力服务器” 全链条的重要一步。随着后续项目开工、设备进场、样品流片，将带动南京光电子产业集群进一步做大做强，加速国内高速激光芯片国产化替代进程。行业将持续跟进该项目后续开工建设、产线调试的最新动态。

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