美光科技研究“近GPU NAND”闪存方案
发布时间:2026-09-03来源:SEMI
据DigiTimes近日报道,美光科技正在研究一种高耐久性NAND闪存模块,计划将其部署在距离GPU更近的位置。
该产品方案被暂称为“近GPU NAND”,核心思路是让GPU能够直接访问数百GB级别的NAND存储池,存储模块可放置在GPU封装内部或PCB板上,工作方式与HBM、GDDR7等现有高带宽存储方案类似。与传统TLC或QLC NAND相比,这种NAND芯片的存储密度更低,重点在于提升I/O速度、带宽。
从存储级看,它位于显存与普通存储之间,可充当高速缓冲层,因此适用于运行大规模的AI大语言模型。
美光方面尚未公布具体产品时间表及技术参数细节。
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