Nexty：DRAM/NAND，年底最高再涨50%

发布时间：2026-09-04来源：芯极速

据日经新闻报道，丰田通商旗下半导体元器件贸易商Nexty社长山田强表示，存储器下游需求持续升温，当前市场供给已难以匹配旺盛需求，实际仅能满足40%‑60%的客户订单。尽管2026年全球半导体销售额较2025年同期实现翻倍，但增长主要来自产品涨价，器件实际出货量并未出现明显提升。

各类存储芯片里，DRAM涨价势头最为突出，低功耗LPDDR4涨幅居前。一方面，三大DRAM原厂正在逐步缩减LPDDR4产能；另一方面，车载领域带来的市场需求依旧保持旺盛，进一步放大供需失衡。

山田强预测，截至2026年底，LPDDR4价格将继续走高，涨幅区间40%‑50%；DDR4涨幅预计达30%‑40%；DDR5涨幅约20%‑30%。NAND Flash闪存同样面临涨价压力，预估涨幅30%‑40%。

山田强还透露，针对DDR4及更早世代的存量DRAM，贸易商已开始引导客户转向中国台湾厂商寻找货源。而在DDR5及更新一代产品方面，部分过去采购量偏小、对长约持谨慎态度的日本企业，如今也开始签署长期供货协议（LTA）锁定产能。

近期另有消息显示，三星存储部门已把2031年前约70%的存储产能分配至LTA，英伟达、微软、谷歌等全球科技巨头均为主要签约客户。

值得关注的是，当前长约价与现货市场价格差距悬殊。据Wccftech整理《首尔经济》报道指出，HBM3E 36GB现货报价287万韩元（约2100美元），而同规格产品长约价格仅50万‑70万韩元，价差高达4‑5倍。

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