新型存储器研讨会议程首发，探讨HBF、MRAM、忆阻器！

致真存储创始人 王戈飞

王戈飞，致真存储（北京）科技有限公司创始人，青岛海存微电子有限公司CEO，青岛特色芯片与智能仪器山东省实验室副主任。法国巴黎萨克雷大学物理学博士，高级工程师。北京市科技新星、高层次留学人才、北京市青年领军人才。长期专注于新一代磁存储芯片（SOT-MRAM）研发与产业化，研究方向涵盖磁隧道结器件制备、自旋轨道矩协同技术、反铁磁存储芯片工艺集成等前沿领域。主持国家重点研发计划"CMOS集成SOT面内磁化演示芯片"、中关村颠覆性技术研发和成果转化等重大项目。"第三代自旋存储器TST-MRAM研制"项目经专家评定达到国内领先水平，对打破国外垄断、保障国家信息安全具有重要战略意义。其带领团队建成国内唯一八英寸磁存储特色产线，填补国内高端磁存储芯片制造空白，推动技术从研发走向规模化生产。参与《自旋转移矩磁随机存储器测试方法》等5项团体标准制定，其中《自旋转移矩磁随机存储器测试方法》《磁随机存储芯片测试方法》两项标准已正式发布实施。发表SCI Q1区论文20篇，其中4篇载于集成电路领域顶级期刊IEDM。申请国家专利35件。相关成果获工信部"国际先进"成果评级，入选国家科技成果库。

寒序科技联合创始人兼首席执行官 朱欣岳

朱欣岳，寒序科技联合创始人兼首席执行官。朱欣岳本科毕业于南京邮电大学·电子与光学工程学院、微电子学院，硕士毕业于北京大学物理学院·凝聚态物理与材料物理所·应用磁学中心，师从杨金波教授、罗昭初研究员，研究方向为凝聚态物理磁学、自旋电子学，以及神经形态计算、类脑计算、概率计算、存内计算等新型计算架构与器件。

朱欣岳曾荣获“中关村U30”、“胡润U30”荣誉称号，拥有凝聚态物理、磁性材料与器件、电子工程、人工智能算法的交叉学术背景与产业化经验。在北京大学就读期间获评北京大学优秀毕业论文、国家奖学金、北京大学优秀毕业生、北京市优秀毕业生。

中科院半导体所博士、熵旋芯智创始人及CEO 雷坤

雷坤，中国科学院半导体研究所博士、熵旋芯智创始人，长期从事自旋电子学、半导体器件及新型计算技术研究，在相关领域拥有数十项发明专利，并在国际高水平期刊发表多篇论文，具备从基础研究、器件研发到技术验证与工程化转化的系统经验。

作为公司战略规划、技术方向与产品路线的主要推动者，雷坤带领团队围绕MRAM算力介质与存内计算架构，推进器件、芯片、算法与软件栈协同研发，统筹验证芯片、软件工具链、端侧PoC及产业合作，加快科研成果向产品定义、工程验证与客户应用转化。

忆元科技创始人 郝镇齐

郝镇齐，北京忆元科技有限公司创始人，忆阻器与存算一体芯片领域技术专家。2013年本科毕业于清华大学数理基础科学班，2018年获清华大学物理学博士学位，2022年从清华大学微集成电路学院博士后出站。曾获北京市三好学生、清华大学优秀共产党员、清华大学林枫辅导员奖等荣誉。郝镇齐长期从事忆阻器器件机理与存算一体架构研究，在ISSCC、Nature Electronics等顶级会议和期刊上发表高水平学术论文30余篇、专利20余项。他牵头完成多款忆阻器相关芯片的设计与流片，主导器件工艺、电路设计与系统架构的协同优化，攻克忆阻器单元一致性调控、存算电路噪声抑制等多项技术难点，有效提升芯片算力与能效。他具备从器件机理研究到芯片量产的全链条研发能力，对新器件、新架构等前沿技术进行了深入探索，并成功推动忆阻器存算一体芯片实现产品化。

领开半导体AI产品部负责人 卢镜如

卢镜如，硕士毕业于北京大学，在芯片与EDA领域深耕近14年，先后服务于Marvell、Globalfoundries、寒武纪、行芯等国内外知名企业，历任高级工程师、产品总监等职。长期以来，工作聚焦于大芯片设计、EDA工具链开发及存储技术方案的市场落地。目前，担任领开半导体AI产品部负责人，致力将存储与计算的前沿融合推向产业实战。