韩媒：三星、SK海力士内存库存，不足10天！

随着AI基础建设投资加速，内存供给吃紧程度进一步升高。韩媒传出，截至第三季，三星电子与SK海力士的内存库存已降至不到10天。分析师警告，随着新一代高带宽内存「HBM4」量产排挤传统DRAM产能。

据韩媒BusinessKorea报导，韩国证券机构KB Securities 7日发表研究报告指出，全球超大规模云端业者明年对AI基础建设的投资预估已上修至1.3兆美元，年增60%。

内存在AI基础建设支出的占比也快速攀升。KB Securities估计，内存明年将占AI基础建设总投资57%，远高于去年的14%。

厂商转而生产HBM4，是导致供应短缺的关键因素。报告指出，HBM4所需晶圆产能约为一般DRAM的三倍，在晶圆产能有限之下，HBM4全面扩产势必压缩传统DRAM可用产能。KB Securities因此估计，明年DRAM与NAND型闪存的位需求成长率，都将比供给成长率超过逾10个百分点。

根据报导，截至Q3，三星、SK海力士的内存库存天数已剩下不到10天。KB Securities研究部主管Kim Dong-won指出，这已不只是需求复苏问题，市场可能面临可销售库存耗尽的窘境。AI服务器除了大量吸收HBM，也将同步拉动服务器DDR5及企业级SSD需求，内存市场可能迎来「历史性短缺」。

美光据传正在投入资金扩产HBM，想要追上SK海力士与三星的产能，以提升12层堆栈HBM4的供应能力。

J.Gold Associates首席分析师Jack Gold表示，尽管美光、SK海力士与三星均已宣布扩产计划，但整个过程仍需耗时数年，这促使企业将现有产能从成本较低的内存转向HBM，进一步加剧供应吃紧的情况。

D.A. Davidson董事总经理Gil Luria则表示，需求「目前已超过现有供给的两倍，而且仍在快速成长」。因此，即使美光提高HBM产能，「在这段期间内，产能可能仍不足以满足需求」。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。

随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用，第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。

观察影响第三季营收的重要因素，单季位元出货量将持续小量增加，价格则因部分大容量RDIMM需求转至中低容量产品，加上PC与智能手机客户对涨价的承受能力有限，预估Conventional DRAM价格季增幅度缩减至13-18%，以原厂大幅收敛供给的Consumer DRAM涨幅最高。