1.2亿！6000片！6英寸磷化铟落户昆明

云南锗业斥资1.2亿攻坚6英寸磷化铟，环评公示加速AI光通信国产化

据今日半导体媒体消息，随着AI算力需求对高速光通信模块的拉动，核心材料磷化铟的国产化进程正全面提速。近日，备受瞩目的“高品质磷化铟单晶片建设项目”（6英寸高品质磷化铟单晶片建设项目）发布了第三次环评公示，标志着该项目在环保合规审查上迈出关键一步，即将进入实质性建设阶段。

该项目由云南锗业主导，选址于云南省昆明市，计划总投资达1.239亿元，建设周期规划为2026年至2027年。项目将依托公司现有的磷化铟晶片生产线基础进行升级改造，旨在进一步扩大高端半导体材料的产能供给。

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为突破6英寸高品质磷化铟单晶片产业化制备的“卡脖子”技术瓶颈，项目计划新增246台（套）关键生产设备。这些设备涵盖了磷化铟单晶炉、多线切割机、全自动倒角打标系统、全自动抛光机以及全自动清洗机等，将全面提升生产线的自动化与智能化水平。

在产能规划方面，项目建成后将新建一条年产6000片6英寸磷化铟单晶片的生产线。这一产能的释放，将有效优化国内磷化铟衬底的尺寸结构，满足下游客户对大尺寸、高品质衬底的迫切需求。

磷化铟晶片是制造高速光模块中激光器和探测器的关键衬底材料。随着数据中心向800G/1.6T甚至更高速率演进，6英寸磷化铟衬底已成为AI光互连技术落地的必备核心单元，其国产化率直接关系到我国高端光通信产业链的安全。

此次环评公示的推进，彰显了云南锗业在化合物半导体材料领域的战略决心。随着项目的顺利落地，公司有望进一步巩固其在国内磷化铟衬底市场的领先地位，为我国AI算力基础设施的建设提供强有力的底层材料支撑。