DB HiTek进军8英寸碳化硅代工

DB HiTek 正正式迈进基于 8 英寸晶圆的 1200V 碳化硅（SiC）功率半导体代工（晶圆代工）业务领域。

DB HiTek 于 9 日宣布，已完成基于 8 英寸晶圆的 1200V SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）工艺的可靠性验证，并将于明年推动量产。

相比传统的硅（Si），碳化硅（SiC）作为下一代功率半导体材料，能够在高温和高压环境下稳定运行，广泛应用于电动汽车、可再生能源及工业电力设备中。目前，SiC 半导体主要基于 6 英寸晶圆生产，但半导体产业正在向 8 英寸晶圆过渡，后者每片晶圆能够产出更多芯片，从而降低成本。

DB HiTek 表示，通过本次可靠性验证，公司已建立了全球首个集成的基于 8 英寸晶圆的 1200V SiC 晶圆代工工艺。公司已构建一套完整的支持系统，涵盖从半导体设计到制造、特性评估及可靠性验证的全流程，以助力客户的产品开发，并计划拓展新客户。

为了帮助客户更快速地设计 SiC 半导体，公司还提供工艺设计套件（PDK）。PDK 是一种设计工具，通过融入晶圆代工厂的工艺信息来辅助客户进行芯片设计。DB HiTek 目前提供第一代和第二代 PDK，并计划于 11 月推出第三代 PDK。公司表示，利用该套件可以减轻前期开发负担，并将产品开发周期缩短一年以上。

DB HiTek 将从今年第三季度开始向现有的合作伙伴客户提供 SiC 工艺服务。自明年第二季度起，服务范围将扩大至所有客户，并全面进入大批量生产状态。

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