光刻机大佬和三大芯片巨头合作！两大客户承诺使用新一代光刻机！

近日，荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）连续发布三项公告，宣布与台积电、三星电子及英特尔晶圆代工（Intel Foundry）推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。其中，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产。英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA相关技术的晶圆。

三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。

台积电则将和阿斯麦推动高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的6英寸向12英寸升级，以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线，并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。

英特尔则与阿斯正持续推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术的量产应用。英特尔目前已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过100万片晶圆，高NA EUV已用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。英特尔表示，采用高NA EUV的英特尔18A制程产品性能达到或超过使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。双方还将继续推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸光罩过渡，同时通过光罩拼接技术，让客户在现有6英寸光罩条件下获得高NA EUV的部分优势。

此外，阿斯麦（ASML）也表示，计划与其主要客户合作，开发能够生产最先进芯片制造设备的新方案，以满足英伟达等公司设计的大型数据中心芯片需求。目前ASML生产的被广泛应用的极紫外(EUV)光刻机可制造面积最大约800平方毫米的芯片，ASML即将推出的下一代“高数值孔径”EUV光刻机，能够制造出更为精细的芯片。不过，由于其采用尺寸较小的掩模版，目前在可制造芯片面积方面受到限制。ASML计划到2031年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并在2033年使这项新技术具备大规模量产能力。