士兰微电子2026年上半年功率模块装机量稳居国内前三
近日,NE时代发布2026年上半年中国市场
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装机量统计数据:今年上半年,国内总装机量达688万套,士兰微以855,862套的装机量位列总榜第三,市场份额12.4%;NE时代数据还显示:碳化硅(SiC)模块装机183.7万套,同比猛增53.1%。在SiC细分领域,士兰微同样快速跃升,进入前八。
从
IGBT
到SiC,从车规主驱到多元场景,士兰微正凭借IDM模式下的技术积累与产能扩张,跑出“加速度”。
技术迭代:第二代、第四代SIC产品已大批量交付,第五代已完成平台搭建,第六代单项技术取得重大突破
作为国内IDM龙头,士兰微SiC
MOSFET
已进化至第五代、第六代。基于第二代、第四代芯片的电动汽车主驱模块出货量持续增长,客户数量不断增加。 第二代芯片已通过国内顶级大厂的严苛
认证
,应用于
AI
算力
中心
电源
上,实现大批量出货。
车规产品方面,士兰微推出了基于自研G4 SiC芯片的ZPAK全桥模块,专为主驱
逆变器
打造,系统杂散电感可控制在13nH以内;同时还有空调压缩机SiC IPM,集成6颗1200V/40A SiC MOSFET,并集成
高压
栅极驱动
电路、欠压保护、过流保护及温度输出功能,广泛适用于汽车空调压缩机、汽车高压电子风扇及主动悬架系统。
第五代SiC Trench MOSFET已经完成平台搭建,相关指标达到或高于业内市场主流水平,开始多电压平台产品化研发。第六代超级结技术完成核心单项工艺调试,将持续为客户提供高性能产品迭代需求。
产能加码:6英寸、8英寸SIC产线上量提速
产能是“技术变现”的关键。目前,士兰微6英寸SiC产线月产能已达1万片,已接近满载运行;更值得期待的是,总投资70亿元的8英寸SiC产线(一期)第一阶段5,000片/月产能已建成并投产,正快速上量。第二阶段扩产已在进行中,预计产能将提升至1万片/月。一期项目全部建成并达产后将形成年产42万片8英寸SiC芯片的能力。
随着6英寸、8英寸SiC产线产能相继释放,产品良率已提升到较高水平,第四代芯片在车规、光储、AI电源等多场景加速导入,士兰微的SiC业务有望持续放量,驱动产品结构升级,为长期成长注入强劲动力。
不止于车:光伏、储能、AI服务器等多元化应用
士兰微的SiC布局远不止汽车。在光伏储能领域,公司推出第四代SiC方案,覆盖户用、工商业及电站全场景。公司碳化硅方案正加速渗透,尤其在200kW以上大功率组串式储能变流器、460kw以上的光伏逆变器等高端市场中应用中日益广泛。
依托自主研发的1200V系列SiC MOS产品及配套解决方案,士兰已形成覆盖户用光储、工商业光储、电站储能等全场景的SiC MOS产品布局。
在AI服务器电源领域,士兰微打造“从电网到核心”全链路供电方案,650V SiC MOSFET助力5.5kW电源实现97.5%峰值效率, SiC MOS已批量应用于AI算力电源。在固态变压器(SST)领域已经完成1700V、2300V、3300V多款产品的研发和验证,同时在固态断路器(SSCB)领域也已经实现重要技术突破。
在新能源汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代浪潮中,士兰微正以扎实的技术积累和稳健的产能扩张,向着全球功率半导体一流企业的目标稳步迈进。
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原文标题:士兰微上半年功率模块装机量稳居国内前三,SiC赛道加速放量
文章出处:【微信号:杭州士兰微电子股份有限公司,微信公众号:杭州士兰微电子股份有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
