三星在SEMICON Taiwan 2026公布新一代存储路线图

近期，在SEMICON T


ai


wan 2026同期举办的“Memory Execu


ti


ve Summit”活动上，


三星


电子正式对外公布了面向AI时代的新一代3D存储器整体战略框架“CUBE”，同时公开了HBM5、zHBM、zNAND-O三款核心产品的详细技术参数与量产推进节奏，为未来数年的高带宽存储产品迭代划出了清晰路径。

本次发布的“CUBE”战略，围绕容量、利用率、带宽、效率四个方向展开，全部基于3D垂直堆叠技术进行设计，不再像过去那样在电路板上水平铺开芯片，而是把存储单元往垂直方向堆叠，在不额外占用基板面积的前提下，直接提升整体存储密度。同时，三星对每一层的逻辑电路和存储单元布局都做了重新优化，尽可能缩短数据传输的物理距离，减少数据来回跑动的时间，让每比特数据传输消耗的能量变得更低，最终实现整体运行效率的提升。

在本次公开的产品路线图中，HBM5是距离量产最近的新一代高带宽存储产品。三星存储产品规划企业副总裁Jangseok Choi在现场介绍，HBM5的目标性能将达到HBM4E的两倍，单瓦性能提升20%，热阻同步降低20%。这款产品的基础芯片制程将从HBM4、HBM4E使用的4纳米升级到三星自研的2纳米节点，同时准备了12层、16层、20层三种不同的


DRAM


堆叠方案，方便不同需求的设备灵活选择。按照规划，HBM5预计在2028年前后实现量产。

针对更远期的技术布局，三星同步披露了全新架构产品zHBM的研发进展。和传统HBM放在AI加速器旁边的布局方式不同，zHBM直接把存储堆叠在


处理器


顶部，大幅缩短数据传输的路径。这款产品的目标性能达到HBM4E的8倍，单瓦性能提升3倍，热阻降幅达到75%至90%，预计2029年之后正式推出。

在NAND存储领域，三星也同步公开了zNAND-O的推进计划。这款产品的存储密度可以达到传统DRAM的10倍，读取带宽和功耗效率都能达到现有NAND的7倍，刚好匹配大语言模型对“接近DRAM的速度、远高于DRAM的容量”的使用需求，预计2028年就可以开始向客户提供样品。

从当前市场格局来看，2026年第二季度，三星在全球DRAM市场以39%的营收份额保持第一，同期NAND Flash业务营收达到230.6亿美元，环比增长70.7%，以29.3%的市场份额稳居全球首位。本次新一代存储路线图的集中公布，意味着三星正在把现有的产能和技术积累，逐步转向适配AI算力需求的高端存储产品，通过架构层面的整体升级，为后续几年的市场竞争做好产品储备。