以上稳定工作,主攻高压大功率场景——新能源车主驱逆变器、800V 车载快充、光伏/储能逆变器、充电桩、轨道交通牵引变流器。目前主流是 6 英寸晶圆,头部企业已量产 8 英寸 SiC 衬底:晶圆越大,单片成本越低,这也是国产 SiC 产业快速降本的关键。
氮化镓(GaN) : 开关频率极高、功率密度大、体积小,主攻高频中低压场景——手机/笔记本氮化镓快充、5G 基站射频功放、AI 数据中心高压 DC-DC、卫星通信、蓝光 LED。其中硅基 GaN 成本低,适合消费电子与服务器电源;GaN 自支撑衬底则面向 5G 毫米波射频等高端应用。
文章来源: 恒泰通
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