EUV光刻机，订单排到2027年

上周，荷兰芯片设备制造商阿斯麦（ASML）在埃因霍温为一座新工厂破土动工；公司首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）表示，人工智能（AI）热潮已显著改变了客户的心态。

该公司现有的、制造先进AI芯片必不可少的EUV（极紫外光刻）设备（单价2亿美元）几乎已预订一空，订单排到了2027年；与此同时，客户也纷纷承诺采用其下一代高数值孔径（High NA）光刻设备（单价4亿美元）。

Dassen 提到，在最近与一位主要客户的对话中，对方的语气是：“能多给我一些吗？能尽快交货吗？”

台积电、三星和 SK 海力士都已确定了将 High-NA（高数值孔径）光刻技术投入生产的时间表，而作为先行者的英特尔也表示，相关设备已达到产能和可靠性标准。结合新的产能规划，这些进展表明，这家欧洲市值最高的公司有望在 2030 年代继续保持其在芯片光刻设备领域的霸主地位。

首席执行官 Christophe Fouquet 在接受路透社电话采访时表示：“老实说，我认为（人工智能热潮）远未结束。”

ASML 的客户涵盖所有主要芯片制造商，其中包括为苹果（Apple）和英伟达（Nvidia）代工芯片的台积电（TSMC）。台积电此前曾质疑“高数值孔径”（High NA）技术高达 4 亿美元的售价是否物有所值，但如今已承诺将从 2030 年起采用该技术。

芯片制造商曾耗费数年时间进行评估，探讨芯片封装、三维堆叠及其他制造技术的进步是否能降低对 High NA 技术的依赖。

这些承诺表明，业内巨头依然认为，要提升性能，仍需进一步缩小芯片的特征尺寸。

与标准 EUV 系统相比，High NA 技术能够刻印出尺寸缩小约 40% 的特征结构，这有望减少制造工序并提高生产效率——不过，其成本也约为标准系统的两倍。

在技术最前沿，ASML 的地位尤为稳固：自 2010 年代末以来，该公司一直垄断着极紫外（EUV）光刻机的供应，而这种设备是制造最强大商用 AI 芯片中微小电路所必需的。

“高数值孔径”（High NA）技术是下一代 EUV 技术，于 2023 年首次出货。在 EUV 领域，ASML 没有商业竞争对手。日本的尼康（Nikon）和佳能（Canon）以及中国的新兴竞争对手，生产的是基于深紫外（DUV）光刻技术的系统，这属于较老的技术。晨星公司（Morningstar）分析师哈维尔·科雷奥内罗（Javier Correonero）表示，关于这些公司在光刻技术上即将赶超 ASML 的担忧，纯属“误传”。

全球半导体产业规模高达万亿美元，其投资决策往往在芯片正式投产前数年便已做出；制造商、设备供应商和材料厂商需要协同配合，确保新设备、化学品和工艺流程能够完美衔接。

一些专家曾质疑，芯片制造商是否会足够广泛地采用 High NA 技术，以证明其高昂的研发成本是合理的。

InsingerGilissen 公司的分析师乔斯·维尔斯特格（Jos Versteeg）表示：“我从未怀疑过这一点，因为别无选择。”

三星（Samsung）宣布将于 2028 年开始利用 High NA 设备生产存储芯片；晨星公司的科雷奥内罗指出，这一时间点早于市场预期。存储芯片巨头 SK 海力士（SK Hynix）也宣布将从 2028 年起采用 High NA 技术；美光（Micron）虽已订购相关设备，但尚未确定投入生产的具体日期。

作为首个采用该技术的厂商，英特尔（Intel）周二表示，目前已利用 High NA 设备处理了超过一百万片晶圆。

Fouquet指出，由于存储芯片成品尺寸较小，存储芯片厂商采用 High NA 技术的门槛相对较低。

他说：“你会发现这些厂商在许多方面的计划都更为激进，其中也包括 High NA 技术。它们都在推进将 High NA 技术应用于大规模生产的计划。”

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