传三星这类存储产品，扩大外包！

AI带动高带宽内存（HBM）需求爆发，促使三星电子加速调整产能配置。韩媒报导，三星计划将DDR5内存模块与SSD新增产能全面转向委外，把有限的自有后段制程资源，优先留给高毛利的HBM产品。

15日业界消息，为应对不断增长的通用内存模块需求，三星电子正要求外包（OSAT）合作伙伴扩大生产线。三星并未扩充PC、服务器、笔记本电脑用DDR5内存模块和固态硬盘（SSD）的自产能力，而是扩大了外包合作伙伴的分配份额。

所谓OSAT，即外包半导体封装与测试（Outsourced Semiconductor Assembly and Test），指芯片制造完成后，由专业厂商承接的封装与测试环节。三星将通用内存模块的组装、测试外包给此类伙伴，自身则集中资源于晶圆制造与先进封装。

知情人士A表示：“三星电子因缺乏扩大用于制造人工智能（AI）半导体所需现有后道工序生产线的空间，正将天安、温阳等封装工厂的空间和设备重新部署为包含HBM在内的先进封装生产线。”他还补充道：“对于通用内存模块，即使需求增加，三星也已决定主要通过外包而非自行增产来处理。”

另一位相关人士B表示：“三星电子自去年6月起就要求供应商扩大DDR5通用内存模块和SSD生产线的投资”，“今年甚至向供应商提出了提前原定计划进行早期扩产的建议。”

三星电子扩大通用模块外包，是因为需要高效利用有限的生产设施。三星电子计划从本月起在温阳园区内建设规模达6万亿韩元的HBM专用新工厂，但完工尚需数年时间。

正在越南北部太原省工业园区建设的15亿美元规模的新后道工序工厂，也将专门负责DDR4、低功耗LPDDR4、NAND闪存、通用闪存存储（UFS）等旧款内存产品的测试。目前看来，三星电子确实缺乏合适的自有生产设施来增产通用模块。

DDR5内存模块的组装采用在印刷电路板（PCB）上贴装（SMT）预先封装好的DRAM、NAND芯片及被动元件的方式。与HBM等先进封装相比，其难度相对较低。此外，生产能力也可以通过外包合作伙伴充分扩大。

三星电子的这一战略调整，折射出全球存储半导体行业在AI浪潮下的深刻变革。随着生成式AI和大模型的爆发式增长，HBM作为AI加速器的核心配套存储，需求激增且利润率远高于传统DRAM和NAND。有业内分析认为，随着三星将通用内存模块生产更多让渡给外包伙伴，相关OSAT企业有望在AI浪潮中承接更多订单、获得可观的增量业务；而三星自身则可腾出手来，全力抢占HBM这一决定未来存储格局的高地。