传长鑫存储进军NAND闪存

发布时间：2026-09-18来源：芯极速

据路透社9月18日报道，消息人士透露，长鑫存储计划在北京新厂区建设一条NAND闪存研发试验线，并在北京设立研究院，专门开展NAND相关技术研发。

公司已与下游客户沟通NAND产品规划，其中一家初创企业有意采购其NAND芯片，用于AI系统与超算存储产品。知情人士未披露该客户名称。

目前这条研发产线投产时间未定，长鑫是否会从研发试产阶段推进至大规模商业化量产，也尚无明确信息。

另据韩媒《中央日报》报道，长鑫存储正联合阿里巴巴旗下平头哥等国内芯片设计企业开展HBM3E产品测试，相关产品最快有望在2027年推出。

全球经济分析平台QUICK FactSet数据显示，2026年第二季度，长鑫存储息税前利润率达82%，超过SK海力士（76%）、三星电子半导体业务（70%），成为当期盈利水平最高的存储芯片厂商。

市场研究机构Counterpoint Research的最新全球DRAM市场报告显示，2026年二季度全球DRAM市场总营收同比暴涨385%；三星电子（38%）、SK 海力士（25%）、美光（24%）稳居全球前三，长鑫存储增长势头强劲，其二季度全球DRAM营收占比提升至10%。

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