英特尔Micro LED玻璃基封装专利曝光，TGV技术迈向光电融合新阶段

英特尔Micro LED玻璃基封装专利曝光，TGV技术迈向光电融合新阶段

据今日半导体媒体消息，近日英特尔公布了一项2022年提交、2026年9月8日正式授权的美国专利（"IC PACKAGE WITH MICRO LEDS"），披露了一种集成Micro LED的IC封装结构。该专利将半导体裸片内嵌于玻璃基板之中，玻璃基板内的TGV（玻璃通孔）直接为裸片上的Micro LED供电，再经封装基板连接主板。这一专利标志着英特尔在玻璃基板领域的布局已从单纯的互连架构延伸至光电异构集成方向。

根据专利描述，这些Micro LED可采用纳米线结构，能分别发出红、绿、蓝三色光，用途包括DIY电子产品的个性化装饰、封装内部的电性测试指示，以及可在CPU表面呈现发光字样，为芯片增添功能指示与美学卖点。值得注意的是，该专利是先进封装与Micro LED的跨界融合，为CPO、高密度算力封装提供光电异构集成方案，而非显示玻璃基面板路线。

制造流程上，先在玻璃基板上以激光诱导加化学蚀刻形成通孔与裸片腔体，再经电镀填充铜形成TGV，随后将带Micro LED的裸片嵌入腔体，两侧以氮化硅层粘合聚合物封装基板，完成信号与供电的垂直互连。专利还给出了裸片横置、纵置以及加装反射镜等多种结构变体，分别适用于不同的散热与可靠性需求。

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英特尔长期对玻璃基板技术进行投入布局。自2013年起研究以玻璃替代有机基板，累计积累了超过1000项相关专利，并于2023年率先发布玻璃基板样品。今年其商业化明显提速：1月在NEPCON Japan展出"厚玻璃芯+EMIB"工程样品，实现约78×77毫米大尺寸封装无微裂纹切割；6月的ECTC 2026上，英特尔公布玻璃芯基板量产级技术验证，完成从通孔制备、金属化、多层布线到光电融合的全流程贯通，其无缺陷24层结构及翘曲控制数据成为行业焦点。

生态合作也在铺开。今年7月，蓝思科技全资子公司与英特尔签署合作备忘录，将TGV先进封装列为合作重点。英特尔输出架构信息、DFM指南与验证方法，蓝思承担穿孔成型、高精度激光加工、金属化沉积与多层互连布线，其百万级通孔0ppm不通率样品已送样北美与韩国客户验证。这一"标准制定者+工艺实现者"的垂直共创模式，标志着TGV技术正加速迈向商业化量产。

此外，今年5月，英特尔还联手美国半导体技术公司3DGS在印度推进约33亿美元的玻璃基板工厂，规划年产能约为7万片玻璃基板、5000万个组装单元，以及近1.3万个先进3D异构集成模块，面向AI芯片、高性能计算的大尺寸、高密度封装需求，项目预计2028~2030年实现规模化出货。

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