超30亿、年产8万片！3大碳化硅晶圆项目，新动向

据今日半导体媒体消息，近期全球碳化硅（SiC）晶圆制造领域迎来新一轮产能扩张潮，印度、巴西等新兴市场正加速布局第三代半导体产业链。目前，国外共有3个碳化硅晶圆项目正在推进建设，合计投资金额超过30亿元人民币，规划年产能超过8万片，标志着碳化硅材料正从技术验证阶段加速迈向规模化量产阶段。

印度SiCSem项目近日正式获批，成为该国碳化硅晶圆制造领域的重要突破。该项目总投资约26.57亿元人民币，规划建成年产6万片的碳化硅晶圆产能，将重点布局新能源汽车、光伏储能及工业控制等下游应用领域，有望填补印度本土碳化硅晶圆制造能力的空白。

印度RIR Power项目进展同样值得关注。该项目目前已完成外延设备的安装调试工作，预计2027年底可实现年产2万片的碳化硅晶圆产能。此外，公司二期规划月产3500片，将进一步扩大产能规模，形成从衬底到外延的完整碳化硅晶圆制造能力。

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巴西CEITEC项目目前建设进度已达50%，预计将按计划稳步推进。值得注意的是，该项目将联合中国碳化硅企业共同推进，在技术合作与供应链协同方面具备独特优势。项目已获得约2.87亿元人民币的政府补贴支持，为后续产能爬坡提供了资金保障。

从全球市场格局来看，碳化硅晶圆作为第三代半导体的核心材料，正迎来需求爆发期。新能源汽车800V高压平台、快充桩、光伏逆变器及数据中心电源等应用场景对碳化硅器件的需求持续攀升，推动全球碳化硅晶圆产能加速扩张。据行业预测，2026年全球碳化硅晶圆市场规模将突破50亿美元，年复合增长率保持在30%以上。

随着印度、巴西等新兴市场碳化硅晶圆项目的落地，全球碳化硅产业链的区域分布将更加多元化。这些项目的建成将有效缓解当前碳化硅晶圆供应紧张的局面，同时推动碳化硅器件成本进一步下降，加速第三代半导体在更多领域的规模化应用。

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