长鑫存储宣布新突破！

发布时间：2026-09-20来源：今日芯闻

9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

G5微缩工艺的突破，推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%（均换算为8Gb颗粒基准统计），在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会上，长鑫存储同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

长鑫科技集团股份有限公司副总裁骆晓东表示，作为全球存储产业的核心参与者，未来，长鑫将继续跟紧全球市场的需求，持续推进技术迭代，推出更多高性能、高可靠性的存储产品。

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本文整合自中国证券报、上海证券报，不构成任何投资建议，如有任何问题，敬请与我们联系。

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