恭喜！这一上市企业8英寸线，升级通线！

发布时间：2026-09-21来源：今日半导体

免责声明：本号内容仅作交流学习，非商用，侵权可联系15150147049微信删除，未经允许禁止转载，违者将依法追究相关责任。

国联万众的8英寸SiC工艺产线完成升级通线，第五代平面栅SiC MOSFET工艺开发完成，这一进展标志着公司在第三代半导体领域取得了重要突破。

8英寸SiC晶圆相比传统的6英寸晶圆，有效面积增加约1.78倍，可切割出更多芯片，显著降低单颗芯片的衬底、光刻、刻蚀等工艺成本。这对于SiC器件在新能源汽车、光伏储能等对成本敏感的应用领域至关重要，有助于提升产品的市场竞争力。

第五代平面栅SiC MOSFET工艺的开发完成，表明国联万众在SiC器件设计上持续优化，通过元胞密度、栅氧工艺、场截止层设计等手段，将导通电阻和开关损耗压到接近沟槽栅的水平，同时保留了平面栅在车规可靠性上的优势。这为后续产品的量产和车规级应用奠定了坚实基础。

赞助商广告展示

多款8英寸车规芯片已交付头部车企试用，意味着产品已进入客户侧的测试周期，正在推进AEC-Q101认证、整车厂路试、PPAP文件等车规级验证流程。若顺利通过验证，将有助于国联万众进入主流车企供应链，实现规模化应用。

国联万众作为中瓷电子的子公司，依托中国电科十三所的技术积累，形成了“电子陶瓷外壳+第三代半导体器件”的产业链协同优势。陶瓷外壳和基板业务为SiC器件提供了散热、气密性和长期可靠性保障，有助于提升整体产品的性能和良率。

在全球SiC产业向8英寸过渡的背景下，国联万众的进展表明国内企业在SiC领域的技术实力和产业化能力不断提升，有助于减少对国外技术的依赖，推动国产SiC器件在新能源汽车、工业电源等领域的广泛应用，加速国产替代进程。

国联万众的这一进展不仅是技术层面的突破，更是推动SiC产业国产化、规模化发展的重要里程碑，对提升我国半导体产业的自主可控能力具有重要意义。

来源：半导体圈子整理

免责声明：本号内容仅作交流学习，非商用，侵权可联系15150147049微信删除，未经允许禁止转载，违者将依法追究相关责任。

转载说明：本文系转载内容，版权归原作者及原出处所有。转载目的在于传递更多行业信息，文章观点仅代表原作者本人，与本平台立场无关。若涉及作品版权问题，请原作者或相关权利人及时与本平台联系，我们将在第一时间核实后移除相关内容。