拓诺稀科技：氧化镓（010）厚膜外延取得重要进展

发布时间：2026-09-22来源：半导体材料行业分会

近日，广州拓诺稀科技有限公司（以下简称为“拓诺稀科技”）在氧化镓（010）厚膜外延领域取得重要进展。

拓诺稀科技采用MOCVD技术，在（010）同质外延方向上实现高质量厚膜生长，外延膜为单晶结构，室温迁移率达到160 cm²/V·s，掺杂浓度1.5×10¹⁶ cm⁻³，XRD摇摆曲线半高宽60arcsec，表面粗糙度小于2nm。

同时拓诺稀科技可为客户提供(010)同质外延膜定制服务。外延厚度2–10 μm灵活可调，掺杂浓度1×10¹⁶—1×10¹⁸ cm⁻³精确可控，外延类型为同质外延，具有单晶质量，衬底尺寸支持2–4英寸及更大规格，应用方向涵盖高压功率器件、射频器件、深紫外探测等。

拓诺稀科技成立于2022年5月，专注氧化镓外延与器件研发、生产和销售，拥有完全自主知识产权的工业化级氧化镓薄膜生产线，产品指标达国际先进水平。公司面向新能源汽车、国家电网、轨道交通、5G通信等领域，提供高品质氧化镓外延材料及自主可控的核心材料保障与技术支持。

(100)、(001)、(010)三大主面并非替代关系，而是面向不同应用场景形成互补。拓诺稀科技将继续与(100)大尺寸路线、(001)HVPE路线等产业链伙伴保持紧密合作，共同推进氧化镓材料从衬底、外延到器件的协同创新。

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