10.78亿！银河微电，扩产

9月21日，银河微电公告，拟投资 10.78 亿元建设高端核心器件产业化项目。该项目聚焦高端功率半导体和模拟芯片的产业化，旨在提升公司在高端核心器件领域的产能和技术水平。

该项目是公司此前“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续，主要在一期厂房基础上进行装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证，不涉及新增土建。

项目聚焦SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构的高端功率分立器件与第三代半导体器件，产品涵盖SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛应用场景。

项目建设周期为3年，预计2027年1月开工，资金来源为自有或自筹。此次扩产旨在提升公司在高端功率器件领域的产能和技术水平，增强在汽车电子、工业控制等高端应用领域的竞争力。

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车规功率器件这几年需求在涨。新能源汽车电子化率比燃油车高得多，一辆电动车里用到的功率器件价值量是燃油车的好几倍。800V高压平台普及之后，SiC MOSFET用量大增。储能、充电桩、工业控制这些场景也在拉动功率器件需求。

国内车规功率器件以前主要靠英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机这些海外厂商。国产替代这几年在加速，银河微电、斯达半导、华润微、士兰微等公司在不同细分方向突破。但高端车规器件，尤其是SiC模块，国内供应商还在爬坡。

银河微电这次扩产，是顺应这个趋势。但车规器件竞争也激烈，海外大厂有几十年技术积累和客户认证。国产替代能不能成，最终要看产品性能、可靠性、成本。3年建设期之后，正好赶上800V和SiC需求的下一个高峰。