银河微电：拟10.78亿投建高端器件产线！

银河微电9月21日公告称，公司拟以自有或自筹资金投资10.78亿元实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。 

该项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，本项目不涉及新增土建，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。项目投资将按照“整体规划、分步实施、分批投入”的原则推进，根据市场情况、客户验证进度及产能消化情况动态安排资金投入节奏。

上述项目产品定位为采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景的功率分立器件与第三代半导体器件，主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

项目建设周期为3年，具体建设周期以项目基础全面动工开始计算，预计开工时间为2027年1月1日。建设内容包括厂房车间装修，购置生产设备及配套设备，建设新产线，实现公司集成电路分立器件升级产品小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的落地量产。

根据公告披露的项目必要性分析，当前国内半导体分立器件相关产品供给仍有提升空间，公司现有产能主要面向常规产品，相关产能存在一定缺口。本项目将新建产线，实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产，有助于补充公司相关产能，提升相关产品供给能力。

作为国内半导体分立器件领域产品品类最齐全的企业之一，银河微电已构建IDM一体化经营模式。财报显示，2026年上半年，公司实现营业收入6.11亿元，同比增长28.28%；归母净利润4825.85万元，同比增长77.28%。

此次10.78亿元的大额投资，被视为银河微电加速向高端功率器件升级的又一重要战略举措。公司在高端功率器件领域采用“内部扩建+外延并购”双线推进策略。

随着新能源汽车800V高压平台普及、光伏储能装机规模扩张以及工业自动化升级，国内功率半导体市场需求持续释放，本土厂商正迎来国产替代的关键窗口期。

根据Omdia、WSTS、中国半导体行业协会等统计，2019年中国半导体分立器件市场规模为2772亿元， 2025年增长至3630亿元，复合年均增长率为4.60%。新能源汽车、储能、工业控制等下游领域发展，将带动功率器件等产品需求。2025年全球功率半导体分立器件市场中，汽车电子仍为第一大应用领域，中国市场国产化比例持续提升，其中模块类产品国产化率同比提升6个百分点。