与“光”同行？芯联集成“光博会”首秀，光互连成最大亮点！

电子发烧友网报道（文/席安帝） 从传统的功率、传感到如今的光互连，芯联集成的技术布局正伴随着


半导体


产业热点的更迭而不断“与时俱进”。




毕竟，在如今这个


AI


算力需求大爆发的年代，没有任何一家厂商愿意错过光互连这一时代机遇。尤其是今年以来，越来越多的半导体厂商纷纷开始砸重金布局光互连赛道，从设计、制造到封测，没有一家厂商愿意错过这场泼天的富贵。






作为国内领先的半导体一站式系统技术平台提供商，芯联集成近年来也积极发力光互连领域，构建起了覆盖光芯片、电芯片、异质集成和TSV、光开关的全链路端到端光互连技术平台。2026年9月9日-11日，芯联集成携“全流程光电芯片与异质集成技术平台”重磅亮相第27届中国国际光电博览会（CIOE），吸引了大量关注。





从光芯片到光开关：芯联集成已打通光互连全链路关键技术





作为国内为数不多的端到端光互连代工平台，芯联集成构建了覆盖光芯片、电芯片、异质集成和TSV、光开关的全链路技术平台。据悉，公司已经拥有清晰的硅光、SiGe技术迭代路线，具备“12英寸+8英寸+6英寸”全尺寸规模量产能力及国内领先的


MEMS


产能，依托


EDA


生态协同与FOT底层工艺平台，在充分保障产能与工艺一致性的同时，全方位赋能客户快速完成产品落地。




众所周知，光芯片往往涉及多种材料体系和技术路线，各有适用场景。企业想要覆盖多类器件，自建全套工艺往往投入很大，而且还面临周期长、风险高的挑战。




芯联集成的光芯片技术平台覆盖了各种核心器件。其中，12英寸Si/SiN光波导与Ge


探测器


平台可支撑90nm/55nm/40nm多代节点研发推进；光源方向布局了VCSEL、InP激光器，并同步推进了Micro


LED


等新型光源研发；调制器方面，芯联集成能够提供


TF


LN工艺支持。客户可按速率、距离、成本灵活选用对应工艺，无需承担高额成本。




在电芯片方面，芯联集成也展开了深入布局。实际应用中，光


信号


在到达接收端后，光电探测器输出的


电流


极其微弱，因此需高性能


放大器


才能还原为可用信号。芯联集成基于12英寸SiGe技术平台开发跨阻放大器和激光


驱动器


，覆盖高速光模块接收端与发射端。通过光电协同设计，可在同一工艺生态内完成


接口


匹配与寄生参数优化，避免带宽性能在芯片互连处损耗，让电芯片的带宽优势在模块层面充分兑现，从而支撑高速光模块的严苛要求。






随着光模块的速率不断提升，传统分立封装方案的局限性日益凸显：光芯片与电芯片分开封装、引线键合互连，带来信号路径长、寄生效应大、功耗高、体积大等技术难题。在此背景下，NPO、CPO 等光电共封装技术成为下一代算力网络的核心演进方向。




在NPO/CPO制造方向，芯联集成在本届光博会期间展示了基于12英寸TSV平台以及Hybrid Bonding、TCB集成工艺，不仅实现了光芯片与电芯片在晶圆层面的三维高密度堆叠，更能大幅缩短信号路径、降低功耗、减小封装尺寸，为NPO/CPO与下一代光互连提供晶圆级制造支撑。




如今，随着AI集群规模越来越大，电交换的代价也逐步加重——每次数据交换都需完成“光→电→光”的往返转换，交换延时和功耗随集群规模攀升。




为此，芯联集成重磅推出了8英寸的MEMS OCS平台，支持光信号在不经光电转换的情况下直接路由交换，可实现低延时、低功耗的高速光互连，在AI集群内部互联、大模型训练网络等场景中显著降低交换延时和功耗。目前，芯联集成MEMS OCS芯片已完成全流程验证，进入了小批量试制阶段。





深度参与“世界级”AI浪潮，构建光互连全链路自主可控平台





本届光博会现场，芯联集成也同步展示了主要核心技术平台，涵盖SiPh、SiGe、VCSEL、MEMS微振镜、MicroLED


ASIC


等，直观展现可覆盖800G/1.6T/3.2T及下一代光互连场景的技术能力。从90nm到40nm，芯联集成的技术迭代及进展对应着光模块速率演进的完整周期。




由此可见，芯联集成正借助光互联全链路解决方案深度参与这波世界级的


AI技术


浪潮。除了技术层面的深度布局之外，芯联集成也正加速扩充产能，以满足当下越来越多来自数据


中心


光互连、AI集群


通信


、高速光模块等领域的需求。




今年6月，芯联集成宣布投资约200亿元建设四期项目，以实现扩产与拓展光互连制造能力。其中，最值得关注的是55nm硅光芯片平台，该工艺将面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。据悉，在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，芯联集成四期项目将会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互连技术。






此外，面向光引擎的55nm SiGe 跨阻放大器和激光


驱动芯片


平台，覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片。该平台可与55nm硅光平台形成 “硅光+配套电芯片”协同，为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。




从技术布局到产能规划，可见芯联集成正在以完整的光电芯片与异质集成技术平台为核心，逐步打通光互联核心“技术链”，深度参与并推动国内AI算力基础设施的自主可控进程。





小结





本届光博会，或许只是芯联集成对外展示光互连技术实力的开始。未来，芯联集成将持续以功率、传感、光互连三大方向为支点，构建从芯片研发、


晶圆制造


到模块封装的完整能力链，打造涵盖MEMS、功率半导体、


模拟


IC、


MCU


、光互连的技术平台，为AI基础设施与算力互连、汽车、


新能源


、工控、家电等核心场景提供系统技术平台方案。