第十一届上海FD-SOI论坛启幕:展望FD-SOI技术演进与中国生态建设
发布时间:2026-09-20来源:电子发烧友网
9月20日,第十一届上海FD-SOI
论坛
在上海隆重举行。作为本次论坛的开幕致辞嘉宾,芯原股份(VeriSilicon)董事长、首席执行官兼总裁戴伟民博士回顾了FD-SOI技术的发展历程,盘点了全球及中国FD-SOI产业的最新里程碑,并对未来的技术路线图和市场前景进行了深入展望。
追本溯源:FD-SOI技术的诞生与核心优势
回顾
半导体
工艺的发展史,FD-SOI技术的诞生堪称摩尔定律延续道路上的重要里程碑。早在2001年,加州大学伯克利分校的Chenming Hu教授、Tsu-Jae King-Liu以及Jeffrey Bokor便极具前瞻性地提出了将CMOS工艺延伸至20nm以下的两种创新解决方案:一是3D全耗尽型
晶体管
FinFET,二是2D全耗尽型晶体管FD-SOI。这两种技术路线自此开启了半导体工艺演进的双轨时代。
FD-SOI,即全耗尽型硅绝缘体(Fully Deple
te
d Silicon-on-Insulator),其核心技术特征在于采用了超薄埋氧层、全介质隔离以及无沟道掺杂设计。与传统的平面体硅晶体管相比,FD-SOI通过衬底上的超薄隔离氧化层实现了更好的栅极控制。这种卓越的栅极控制能力直接转化为更佳的晶体管缩放能力,使其成为FinFET之外极具竞争力的替代方案。
一项技术的成熟离不开产业链上下游的协同创新。FD-SOI从实验室走向大规模量产,经历了一系列激动人心的产业里程碑。2012年,
意法半导体
(ST)率先推出了28nm FD-SOI工艺平台,吹响了产业化的号角。紧接着在2013年,Soitec成功突破了FD-SOI高质量衬底的技术瓶颈,同年,芯原股份(VeriSilicon)与ST达成FD-SOI技术合作,首届上海FD-SOI论坛也应运而生,为全球
技术交流
平台奠定了基础。
随着技术的不断验证,FD-SOI阵营迅速壮大。2014年,
三星
(Samsung)获得ST 28nm FD-SOI工艺平台授权,芯原股份亦与三星展开深度合作;同年,上海新傲科技获得Soitec Smart-Cut技术授权,为中国FD-SOI产业链补齐了关键一环。2015年,格罗方德(GlobalFoundries)正式推出22FDX 22nm FD-SOI代工平台,芯原股份随即与格罗方德达成合作。2016年,上海新昇宣布收购Soitec 14.5%股权,进一步深化了中欧半导体产业的资本与技术纽带。2017年,格罗方德推出FDXcelerator计划,加速了FD-SOI生态的繁荣。
自2018年至今,基于FD-SOI技术的芯片如雨后春笋般涌现,广泛应用于各类终端市场。其中包括
NXP
推出的i.MX7、i.MX8等8款应用
处理器
,Sony的新一代GPS芯片,以及Eutelsat Communications的下一代卫星
通信
芯片。这些成功案例充分证明了FD-SOI技术在复杂应用场景中的可靠性与优越性。
凭借超低功耗和高效无线连接两大核心优势,FD-SOI已成为众多边缘
AI
应用的最佳技术选择。当前,FD-SOI的关键应用领域已全面铺开:在
汽车电子
领域,广泛应用于
MCU
、
传感器
、雷达处理、
电源管理
及V2X通信;在
IoT
与可穿戴设备方面,赋能AI眼镜、智能手表、健身追踪器、便携医疗设备等;在边缘AI领域,支持始终在线AI处理器、智能
语音识别
及轻量级
神经网络
加速器;在移动通信与
5G
/6G领域,则是
RF
前端模块、
PMIC
、毫米波芯片及卫星通信、航空航天雷达的优选方案。
扎根中国:新一代制造体系与资本赋能
在全球FD-SOI版图中,中国正扮演着越来越重要的角色。目前,中国FD-SOI制造已形成清晰的新一代分类体系:G1(第一代)涵盖28nm、22nm和20nm工艺;G2(第二代)包括18nm、14nm和12nm工艺;而G3(第三代)则瞄准10nm、7nm及以下先进节点。在材料端,Soitec和新傲科技正持续向中国稳定供应12英寸FD-SOI衬底,为本土制造提供了坚实的原材料保障。
更为振奋人心的是,中国本土FD-SOI量产线建设迎来了资本与产业的双重加持。2026年8月,由长江存储科技集团(YMTC)投资平台长村资本、光谷产业投资以及Che
ram
i投资集团等机构组成的联合投资方,完成了对SOI Micro的B轮战略投资。成立于2022年的SOI Micro,是一家专注于FD-SOI技术的先进工艺
晶圆制造
厂。此次重磅融资不仅彰显了资本市场对中国FD-SOI自主可控产业链的坚定信心,也为中国建设首条FD-SOI量产线注入了强劲动力。
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