立足 300mm SOI 衬底，助推 FD‑SOI 产业生态发展

随着


半导体


技术对性能、功耗及可靠性的要求日益严苛，FD-SOI（全耗尽绝缘上硅）技术正成为连接射频、超低功耗及


汽车电子


应用的关键桥梁。作为NSIG（上海硅产业集团）旗下的重要成员，


Sim


Wings（新傲芯翼）在2026上海FD-SOI分享了该公司的最新进展。




FD‑SOI 相比传统体硅（bulk）CMOS 工艺拥有多项硬核技术特性：软错误率相比体硅工艺改善 20 倍；可工作在 0.4V 以下最低能量工作点，超低压场景能效提升 7 倍；拥有独特的体偏置（FBB/RBB）技术实现动态功耗管理；毫米波


射频


CMOS 性能接近 SiGe 射频方案，兼具高集成度、低噪声能力，适配多类新兴芯片需求。





汽车与


工业控制


领域



汽车与工业场景对芯片耐高温、抗干扰、高可靠性要求严苛，FD‑SOI 在此领域已实现大量标杆落地。


意法半导体


基于 18/28nm FD‑SOI 工艺打造


STM32


V8 系列


MCU


，搭载


Arm


Cortex‑M85 内核，最高工作频率 800MHz，可耐受 140℃结温，集成 4MB


嵌入式


非易失存储器，该芯片已经应用于星链用户终端，适应复杂恶劣工作环境。




Arbe 联合经纬恒润推出基于 22nm FD‑SOI 的


毫米波雷达


芯片，拿下 L3 级


自动驾驶


设计订单，规划 2027 年实现量产；Mobileye EyeQ4 自动驾驶视觉 SoC 采用 28nm FD‑SOI 工艺，已经大规模量产，兼顾算力输出与低功耗表现。从卫星终端到高阶自动驾驶，头部


Ti


er1 与芯片企业不断验证 FD‑SOI 在宽温可靠性、高频性能上的独特竞争力。





超低功耗边缘


AI


与


物联网





电池续航是可穿戴、物联网终端产品的核心瓶颈。28/22nm FD‑SOI 工艺在功耗效率层面，能够对标甚至优于成本高昂的 7/12nm FinFET 工艺，具备极高性价比。






瑞芯微


基于 22nm FD‑SOI 开发高性能 NPU 芯片，服务边缘 AI 视觉、语音芯片，实现低动态功耗与高能效；GreenWaves 22nm FD‑SOI 边缘 AI


音频




处理器


面向 TWS 耳机等设备，在 50mW 功耗条件下提供强大算力；恩智浦 28nm FD‑SOI 边缘处理器面向工业物联网与


智能家居


，深度休眠


电流


仅 15μA，极大拉长设备续航时间。





射频与无线连接



面向下一代


手机


、可穿戴设备，射频集成与功耗优化至关重要，FD‑SOI 提供单芯片解决方案，兼顾低功耗、高隔离度与射频效率。


高通


、苹果、谷歌、索尼等厂商均已采用 FD‑SOI 工艺产品。高通 22nm FD‑SOI 的 QET7100 宽带包络追踪芯片优化


5G




功率放大器


效率，降低发热、延长电池寿命；索尼 28nm FD‑SOI GNSS 接收机用于智能手表，借助体偏置技术将工作功耗压缩至毫瓦级别；多款毫米波


天线


模组、射频前端产品依托 FD‑SOI 实现更优射频隔离，减少


信号


衰减，支撑 5G 毫米波商用落地。





FD‑SOI 全球产业生态格局



完整的 FD‑SOI 产业链包含 SOI 衬底、晶圆代工厂、Fabless 芯片设计企业、IP 与设计服务、


EDA


工具以及终端客户。




衬底环节，Soi


te


c、沪硅集团新傲芯翼（SimWings，NSIG）是核心供给方；晶圆代工端，意法半导体、


三星


、格芯、华力等均布局 FD‑SOI 工艺；Fabless 阵营涵盖瑞芯微、君正、


NXP


、Arbe、高通、Nordic、


Lattice


等众多芯片企业；IP、EDA 领域有 Verisilicon、华大九天、Empyrean、Primarius 等国内及海外厂商参与；下游终端覆盖比亚迪、三星、谷歌、苹果等消费与汽车巨头。




新傲芯翼作为本土 SOI 衬底供应商正式融入全球 FD‑SOI 生态，从材料源头赋能整条产业链发展。2001 年，新傲科技成立，成为中国大陆第一家 SOI


晶圆制造


企业；2022 年，新傲芯翼成立，产出中国第一片 300mm SOI 晶圆；2026 年实现 300mm SOI 晶圆规模化量产。




新傲芯翼 300mm SOI 产品覆盖


RF


‑SOI、HV‑SOI、FD‑SOI、光子 SOI、


MEMS


等多条产品线，可适配超低功耗逻辑、高性能


光电


子、功率电子等多元化衬底需求。不同产品对应不同顶层硅厚度与厚度均匀度指标，覆盖从几十纳米到十余微米的顶层硅区间，可匹配逻辑、射频、MEMS、硅光芯片差异化制造规格。




硅光作为高速互联关键技术，市场前景广阔，机构预测 2030 年全球数据


中心


资本开支将突破 3 万亿美元。硅光产业链包含


PI


C 芯片设计、SOI 衬底供应、外延晶圆、晶圆代工、封测、光模块集成商、设备商、运营商，新傲芯翼完成在硅光上游材料环节的布局。




从单晶硅锭开始，长晶、研磨、抛光、氧化、离子注入、键合、剥离，整套 SOI 晶圆制造供应链掌握在沪硅集团体系内部，实现关键供应链自主可控。




知识产权层面，新傲芯翼延续与 Soitec 合作，将原有 200mm SOI 授权拓展至 300mm 产品，拥有干净、完备的知识产权基础。




产能方面，2026 年 300mm SOI 产能可达每月 3.3 万片；同时规划新增年超 100 万片扩产计划，产品已经完成 BCD、射频、硅光等多领域客户


认证


，实现出货。